Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GD 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Max...
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GD 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
Tc= 55°C Tc= 25°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
tP= 1ms, Tc= 55°C
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation
Tc= 25°C,
Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom DC forward current
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current
tP= 1ms
Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES IC,nom.
IC ICRM Ptot VGES
IF IFRM I2t VISOL
600 150 180 300 570 +/- 20V 150 300 4.800 2,5
V A A A W V A A A2s kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor /
Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage
IC= 3,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Eingangskapazität input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj...
