FP15R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP15R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Vorläufig Preliminary Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Tvj =25°C VRRM 1600 Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forward current per chip TC =80°C Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t - value TC =80°C tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Tvj =25°C Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 80°C TC = 25 °C Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC =80°C Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage IFRMSM IRMSmax IFSM I2t VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES 25 36 196 158 192 125 1200 15 27 30 89 +/- 20V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I2t - value tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF 15 IFRM 30 I2t 44 Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collecto...