Enhanced optical Power LED
Power TOPLED® with Lens Enhanced optical Power LED (HOP2000)
LS E63B, LA E63B, LO E63B, LY E63B
Vorläufige Daten / Prel...
Description
Power TOPLED® with Lens Enhanced optical Power LED (HOP2000)
LS E63B, LA E63B, LO E63B, LY E63B
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: fokussierte
Abstrahlung in SMT-Technologie; hohe Helligkeit in Achsrichtung Wellenlänge: 633 nm (super-rot), 617 nm (amber), 606 nm (orange), 587 nm (gelb) Abstrahlwinkel: 30° Technologie: InGaAlP optischer Wirkungsgrad: 24 lm/W (amber, orange, gelb), 18 lm/W (super-rot) Gruppierungsparameter: Lichtstärke, Durchflussspannung, Wellenlänge Verarbeitungsmethode: für alle SMT-Bestücktechniken geeignet Lötmethode: IR Reflow Löten und Wellenlöten (TTW) Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2 Gurtung: 12-mm Gurt mit 2000/Rolle, ø330 mm ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach EOS/ESD-5.1-1993
Features package: white P-LCC-4 package feature of the device: focussed radiation in SMT
technology; high brightness in beam direction wavelength: 633 nm (super-red),
617 nm (amber), 606 nm (orange), 587 nm (yellow) viewing angle: 30° technology: InGaAlP optical efficiency: 24 lm/W (amber, orange, yellow), 18 lm/W (super-red) grouping parameter: luminous intensity, forward voltage, wavelength assembly methods: suitable for all SMT assembly methods soldering methods: IR reflow soldering and TTW soldering preconditioning: acc. to JEDEC Level 2 taping: 12-mm tape with 2000/reel, ø330 mm ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to EOS/ESD-5.1-1993...
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