KT814A

CИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 9001-2001 КТ814А,Б,В,Г PNP КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО - ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР аАО. 336.184 ТУ / 02 ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ РАБОТЫ В КЛЮЧЕВЫХ И ЛИНЕЙНЫХ СХЕМАХ, УЗЛАХ И БЛОКАХ АППАРАТУРЫ ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ * Заpубежный аналог: КТ814Б-BD136,КТ814В-BD138, КТ814Г-BD140,КТ814А-отсутст. * Изготавливается в коpпусе КТ-27 (ТО-126) КТ-89 (DPAK) 1 - эмитт. 2 -колл. 3 - база ПРЕДЕЛЬНО- ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ Параметры Обозначе- ние Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб≤100Ом) КТ814А, Uкэ max КТ814Б, КТ814В, КТ814Г Напряжение эмиттер-база Uэб max Постоянный ток коллектора Iк max Импульсный ток коллектора Iки max Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max Рассеиваемая мощность коллектора Pк max Температура перехода Tпер Диапазон рабочих температур среды от -60 до +125оС Единица измер. В В А А А Вт °C Значение 40 50 70 100 5 1.5 3 0,5 10 150 ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр.ср.=+25°C ) Паpаметpы Обозна- Ед. Режимы измеpения Min Max чение измеp Граничное напряжение колл-эмит КТ814А, Uкэо гp. B Iэ=50mA, 30 КТ814Б, tи=0.3÷1 мс 45 КТ814В, 65 КТ814Г 85 Обратный ток коллектора КТ814А, Б Iкбо мкА Uкэ=50 В 50 КТ814В, Г Uкэ=65 В 50 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ814А, Б КТ814В, Г Iкэr мкА Uкэ=50 В, Rбэ≤100 Ом Uкэ=65 В, Rбэ≤100 Ом 100 100 Статический коэффициент передачи то...