NPN Transistor
Назначение
КТ3102
кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиа...
Description
Назначение
КТ3102
кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства
Зарубежные прототипы прототипы BC547, BC548
Номер технических условий аАО.336.122 ТУ / 03
Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Назначение выводов
Вывод №1 №2 №3
Назначение Эмиттер База Коллектор
КТ3102 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ3102
Паpаметpы
Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттеpа Статический коэффициент передачи тока Емкость коллекторного перехода Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте КТ3102АМ,БМ,ВМ,ГМ,ЖМ,ИМ,КМ КТ3102ДМ,ЕМ Коэффициент шума Постоянная времени цепи обратной связи
Обозначение Iкбо Iэбo h21Е
Cк /h 21Е/
Кш к*
Ед. измеp
нА мкА
пФ
Режимы измеpения
Uкб=Uкб max,Iэ=0 Uэб=5B Uкб= 5B, Iэ= 2мA f=50Гц Uкб= 5B, f=10MГц Uкб= 5B, Iэ=10мA f=100МГц
Uкэ= 5В, Iк=0,2мА
пс Uкб= 5B, Iэ=10мА, f= 30МГц
* Справочные параметры
Min Max
15-50 10
100 1000
6,0
2 3
4,0 100
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ3102
Параметры Напряжение коллектор-база Напpяжение коллектоp-эмиттеp (Rбэ=10кОм) Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора (tu <40мкс, Q> 500) Рассеиваем...
Similar Datasheet