N-Channel Transistor
КП723
мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с...
Description
КП723
мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Особенности диапазон рабочих температур от - 55 до +150 ºC
Зарубежные прототипы Зарубежные прототипы - IRFZ44, IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ40, IRLZ44
Обозначение технических условий АДБК 432140.415 ТУ КП723АМ - по технической спецификации
Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод №1 №2 №3
Назначение
Затвор Сток Исток
КП723 (май 2010г., редакция 1.0)
1
Таблица 1. Основные электрические параметры КП723
Паpаметpы
Пороговое напряжение КП723А, Б, В, АМ КП723Г Ток стока КП723А, В КП723АМ КП723Б КП723Г Сопротивление сток-исток в открытом состоянии КП723А, В КП723АМ КП723Б КП723Г Остаточный ток стока Ток утечки затвора
Крутизна ВАХ КП723А, Б, В КП723АМ КП723Г Прямое напряжение диода
Обозн. Uзи поp
Iс
Rси отк
Iс ост Iз ут
S
Uпр
Ед. измеp.
В А
Ом
мкА нА А/B
В
Режимы измеpения
Iс=0,25мА,Uзи=Uси
tи<300мкс, Q>50 Uси=1,75B,Uзи=10В Uси=1,75B,Uзи=10В Uси=2,25B,Uзи=10В Uси=1,75B,Uзи= 5В
tи<300мкс, Q>50
Iс=31А,Uзи=10В Iс=25А,Uзи=10В Iс=31А,Uзи=10В Iс=31А,Uзи= 5В Uси=Uси max,Uзи...
Similar Datasheet