IGBT
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FP35R12KT4
EconoPIM™2ModulmitTrench/Feldst...
Description
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FP35R12KT4
EconoPIM™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPIM™2modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VorläufigeDaten PreliminaryData
VCES IC nom ICRM Ptot VGES
1200 35 70 210
+/-20
V A A W V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 35 A, VGE = 15 V IC = 35 A, VGE = 15 V IC = 35 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj ...
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