RQ3L050GN

RQ3L050GN 　　Nch 60V 12A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 60V 61mΩ ±12A 14.8W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package. 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lOutline HSMT8 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　　　　　　 　 　 　 　　　　　　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 330 lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 12 3000 Taping code TB Marking L050GN lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature Tc = 25°C Ta = 25°C VDSS ID*1 ID ID,pulse*2 VGSS EAS*3 IAS*3 PD*1 PD*4 Tj Tstg 60 ±12 ±5 ±20 ±20 3.9 5.0 14.8 2.0 150 -55 to +150 V A A A V mJ A W W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150318 - Rev.002 　 　 RQ3L050GN 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient Thermal resistance, junction - case 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*4 RthJC*1 Values Min. Typ. Max. - - 62.5 - - 8.4 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Breakdown voltage temperature coeff...