KT8248A

КТ8248А, А1 n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ8248А1 с демпфирующим диодом и резистором в цепи эмиттер-база). Предназначены для применения в высоковольтных ключевых схемах телевизионных приемников, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежный прототип Прототип – BU2506D Особенности Диапазон рабочих температур от - 25 до + 125°C Обозначение технических условий АДБК.432.140.903 ТУ Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ8248 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8248 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение коллектор-эмиттер Обратный ток коллектор-эмиттер Обратный ток эмиттера КТ8248А КТ8248А1 Статический коэффициент передачи тока * КТ8248А*1 КТ8248А1*1 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение насыщения база-эмиттер Сопротивление резистора эмиттер-база КТ8248А1*1 Емкость коллекторного перехода*1 Вpемя спада *1 Вpемя рассасывания *1 Постоянное прямое напряжение диода КТ8248А1 Обозн. Uкэо гp. Iкэк Iэбо Ед. изм. B мА мA Режимы измеpения Iк=100mA, Iб=0, L= 40 мГн Uкэк =1500B Uбэ=0 Uэб=7,5B; Iк=0 h21э Uкэ(нас) Uбэ(нас) Rэб Ск tсп. tрас. Uпр. Uкэ=5B, Iк=3A, t и≤ 300 мс, Q≥100 Uкэ=5B, Iк=0,3A, t и≤ 300 мкс, Q≥100 В Iк=3 A, Iб=0,79 А, t и≤ 300 мкс, Q≥100 В Iк=3 A, Iб=0,79 А, t и≤ 300 мкс, Q≥1...