50N06 MOS FET Datasheet

50N06 Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

50N06

Description

Low voltage high current power MOS FET

Manufacture

ETC

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Datasheet
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50N06
50N06
* '6
72
Available
RoHS*
COMPLIANT
'
*
6
VDS
ID
VGS
PD
TJ
Tstg
EAS
52.4
Ciss
Coss
Crss
VDS=2v, V GS=0V,f=1.0MHZ
VDS=2v,V GS=0V,f=1.0MHZ
VDS=2v,V GS=0V,f=1.0MHZ

50N06
特性参数值(TC=25ºC)
参数说明
漏源反向电压
漏源截止电流
栅源截止电流
通态电阻
栅源极开启电压
跨导
符号
BVDSS
IDSS
IGSS(F/R)
RDS(ON)
VGS(th)
gFS
测试条件
VGS=0V, ID=250uA
VDS=60v,VGS=0V
VGS=±20V,VDS=0V
VGS=10V,ID=26.2A
VGS=5V,ID=26.2A
VDS=VGS,ID=250µA
ID=26.2A,VDS=25V
最小值
60
--
--
--
2.0
--
典型值
--
--
--
0.017
0.020
20
最大值
--
1
±100
0.021
0.025
4.0
--
单位
V
µA
nA
Ω
V
S
动态特性
参数说明
栅极电荷
栅源电荷
栅漏电荷
符号
Qg
Qgs
Qgd
测试条件
VDS=48V
ID=52.4A
VGS=5V
最小值
--
--
--
典型值
24.5
6
14.5
最大值
32
--
--
单位
nC
nC
nC
开关特性
参数说明
延迟时间(开启)
上升时间
延迟时间
下降时间
符号
Td(on)
Tr
Td(off)
tf
测试条件
VDD=30V
IDS=26.2A
RG=25Ω
最小值
--
--
--
--
典型值
20
380
80
145
最大值
50
770
170
300
单位
ns
ns
ns
ns


Features 50N06 * '6 72 Available RoHS* COM PLIANT ' * 6 VDS ID VGS PD TJ Tstg EA S 52.4 Ciss Coss Crss VDS=2v, V GS= 0V,f=1.0MHZ VDS=2v,V GS=0V,f=1.0MHZ VD S=2v,V GS=0V,f=1.0MHZ (TC=25ºC) BVDSS IDSS IGSS(F/R) RDS(ON) VGS( th) gFS VGS=0V, ID=250uA VDS=60v,VGS= 0V VGS=±20V,VDS=0V VGS=10V,ID=26.2A VG S=5V,ID=26.2A VDS=VGS,ID=250µA ID=26.2 A,VDS=25V 60 --- -- 2.0 -- ---- 0.0 17 0.020 20 -- 1 ±100 0.021 0.025 4. 0 -- V µA nA Ω V S Qg Qgs Q gd VDS=48V ID=52.4A VGS=5V ---- 2 4.5 6 14.5 32 --- nC nC nC () Td(on) Tr Td(off) tf VDD=30V IDS= 26.2A RG=25Ω ----- 20 380 80 145 50 770 170 300 ns ns ns ns VGS Top : 10.0 V 102 8.0 V 6.0 V 5.0 V 4.5 V 4.0 V 3.5 V Bottom: 3.0 V 101 10 0 10-1 ජ Notes : 1. 250த s Pulse T est 2. TC = 25ඓ 100 VDS 1. (V) 101 60 50 40 VGS = 5V 30 V = 10V GS 20 10 ජ Note : TJ = 25ඓ 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 ID 3. (A) 102 101 175ඓ 25ඓ 100 0 2 -55ඓ 4 VGS 2. ජ Notes : 1. VDS = 25V 2. 250த s Pulse Te.
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