MIP2E1DMS integrated circuit Datasheet

MIP2E1DMS Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

MIP2E1DMS

Description

Silicon MOS-type integrated circuit

Manufacture

Panasonic

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Datasheet
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MIP2E1DMS
インテリジェントパワーデバイス (IPD)
MIP2E1DMS
シリコン MOS 形集積回路
特 長
軽負荷時の消費電力を大幅に削減
各種保護回路機能内蔵によりリアルタイムの保護が可能
用 途
スイッチング電源制御用
絶対最大定格 Ta = 25°C±3°C
項目
ドレイン電圧
コントロール電圧
出力電流
出力ピーク電流
コントロール電流
チャネル部温度
保存温度
記号
VD
VC
ID
IDP
IC
Tch
Tstg
定格
700
10
0.43
0.61
0.1
150
-55 +150
単位
V
V
A
A
A
°C
°C
パッケージ
コード
DIP7-A1
端子名
1: SOURCE
2: SOURCE
3: SOURCE
4: CONTROL
5: DRAIN
6:
7: SOURCE
8: SOURCE
品名表示記号: MIP2E1D
発行年月 : 20087
SLB00104AJD
1

MIP2E1DMS
MIP2E1DMS
電気的特性 TC = 25°C±3°C
項目
コントロール機能
出力周波数
最大デューティサイクル
PWM ゲイン *1
スローブ保証値 *1
電源
起動前動作電流 *2
動作時電流 *2
起動時コントロール端子電圧 *2
停止時コントロール端子電圧 *2
起動 / 停止ヒステリシス電圧 *2
間欠動作時間比
間欠動作周波数
コントロール端子充電電流
コントロール電圧
コントロール電圧ヒステリシス *1
最小ドレイン電圧
保護機能
過電流保護検出
オン時ブランキング幅 *1
過電流保護遅れ時間 *1
過熱保護温度 *1
ラッチリセット電圧 *1
出力
オン抵抗 *3
オフ時ドレイン端子リーク電流
ドレイン耐圧
立ち上がり時間 *4
立ち下がり時間 *4
熱抵抗 *1
記号
条件
fosc
MAXDC
GPWM
m
VC = VC(CNT) – 0.2 V
VC = VC(CNT) – 0.2 V
IC(SB)
IC(OP)
VC < VC(ON)
VC = VC(CNT) – 0.2 V
VC(ON) S1 = Open
VC(OFF) S1 = Open
DVC S1 = Open
TSW/TTIM S1 = Open
fTIM S1 = Open
VC = 0 V
IC(CHG)
VC = 5 V
VC(CNT)
DVC(CNT)
VD(MIN)
ILIMIT
ton(BLK)
td(OCL)
TOTP
VCreset
S2 = Open
RDS(ON)
IDSS
VDSS
tr
tf
Rth(j-a)
ID = 0.1 mA
VDS = 650 V, VC = 6.5 V
ID = 0.25 mA, VC = 6.5 V
エポシキ基板 (3 cm × 3 cm) 実装時
Ta = 25°C
最小 標準 最大 単位
90 100 110 kHz
66 69 72 %
11 dB
15 mA/ms
0.05 0.30 0.6 mA
0.7 1.8 2.7 mA
5.1 6.0 6.6
V
4.1 5.0 5.5
V
0.5 1.0 1.5
V
2%
0.5 Hz
–2.5 –1.9 –1.2 mA
–2.0 –1.2 – 0.5 mA
5.7 6.2 6.6
V
10 mV
36 V
0.335
130
2.3
0.375
0.25
0.1
140
3.3
0.415
4.2
A
ms
ms
°C
V
23 27 W
10 250 mA
700 V
0.1 ms
0.1 ms
90 °C/W
2 SLB00104AJD


Features インテリジェントパワーデバ ス (IPD) MIP2E1DMS シリコン MOS     のをに  により アルタイムのが     ス イッチング  Ta = 25°C±3°C ドレイン コントロール ピー ク コントロール チャネル VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 10 0.43 0.61 0.1 150 -55 ∼ +150 V V A A A C °C  パッケージ コー DIP7-A1  1: SOURCE 2: SOURCE 3: S OURCE 4: CONTROL 5: DRAIN 6:  7: SO URCE 8: SOURCE  : MIP2E1D : 20087 SLB00104AJD 1 MIP2E1DMS  TC = 25°C±3°C コントロール デュ ーティサイクル PWM ゲイン *1 スローブ *1 *2 *2 コントロ ル *2 コントロール *2 / ヒス テリシス *2 コントロール ントロール コントロールヒ テリシス *1 ドレイン オン ブランキング *1 れ *1 *1 ラッ チリセット *1 オン *3 オフド レインリーク ドレイン ちが *4 ちがり *4 *1 fosc MAXDC GPWM m VC = VC(CNT) – 0.2 V VC = VC(CNT) – 0.2 V IC(SB) IC(OP) VC < VC(ON) VC = VC(CNT) – 0.2 V VC(ON) S1 = Open VC(OFF) S1 = Open DVC S1 = Open TSW/TTIM S1 = Open fTIM S1 = Open VC = 0 V IC(CHG) VC = 5 V VC(CNT) DVC(CNT) VD(MIN) ILIMIT ton(BLK) td(OCL) TOTP VCreset S2 = Open RDS(ON) IDSS VDSS tr tf Rth(j-a) ID = 0.1 mA VDS = 650 V, VC = 6.5 V ID = 0.25 mA, VC = 6.5 V エポシキ (3 cm × 3 cm) Ta = 25°C .
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