Germanium Transistor. AF178 Datasheet

AF178 Transistor. Datasheet pdf. Equivalent

Part AF178
Description Germanium Transistor
Feature AF178 Typ tranzystora: tranzystor germanowy Firma: TELEFUNKEN Wykonanie: tranzystor germanowy stopo.
Manufacture TELEFUNKEN
Datasheet
Download AF178 Datasheet



AF178
AF178
Typ tranzystora: tranzystor germanowy
Firma: TELEFUNKEN
Wykonanie: tranzystor germanowy stopowo-dyfu-
zyjny p-n-p w obudowie metalowej TO-5, ekran S
połączony z obudową, ciężar max 1,5 G
Zastosowanie: stopnie wejściowe, mieszające i ge-
neracyjne do 220 MHz
Typy podobne: AF106 (Siem)
C §1
I
£
r1
5,08 £6 >-mim'3-'
[kranSjest połączony zobudawq
Rys. 1-152. AF178
Wartości charakterystyczne"
~IcB0
~IcB0
-UBE
— UcBO
— Uebo
fr
>*2U
F
Cl2e
1*121.1
GP
Rel^ubl
tab'ufci
Clib
\yi2b!
<Pl2b
bzifcl
V>21b
Reb22fti
^22b
min typ
220
25
0,5
180
20
6
max
10
50
360
50
7,5
-0,8
10
10 13
30
-15
— 12
0,4
-90
252)
90
0,3
2,3
1,8
jxA
[J.A
mV
jxA
V
V
MHz
dB
PF
n
dB
mS
mS
PF
mS
O
mOS
mS
mS
PF
przy -UCB = 12 V
przy -UCB = 25 V
przy -UCB = 12 V, ~IC = 1 mA
przy -UCB = 12 V, - I c = 1 mA
przy - / c = 50 [xA
przy IE = 50 jaA
przy -UCB = 12 V, IE = 1 mA
przy -UCE = 12 V, - I c = 1 mA, / =
przy -UCE = 12 V, - I c = 1 mA,
Rg = 30 O, / = 200 MHz
przy -UCE= 12 V, —Ic = 1 m A , / =
przy -UCB = 12 V, IE = 1 mA, / = 2
przy -UCB= 12 V, - J c = 1 m A , / =
» tamb = 25"C
2> - UCB = 12 V, TE = 1 m A , / = 200 M H z



AF178
Uc
-UJEFBO max
~JC max
-In
Wartości graniczne
2 5 V xptot max
0,5 V
0 max
10
mA
n
-"rft
j—a
max
1 mA fstg
1 mA
m tnF
Hh
AF178
753>
75
0,6
—55-t- + 75
mW
°C
°C/mW
°C
\lOkSi
i *mv
f
0-/2V
Rys. 1-153. Układ pomiarowy wzmocnienia mocy
Rezystancję R należy tak dobrać, aby całkowita rezystancja rezonansowa wynosiła 2 kil.
3> tumb = 45°C





@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)