DatasheetsPDF.com

AF178 Dataheets PDF



Part Number AF178
Manufacturers TELEFUNKEN
Logo TELEFUNKEN
Description Germanium Transistor
Datasheet AF178 DatasheetAF178 Datasheet (PDF)

AF178 Typ tranzystora: tranzystor germanowy Firma: TELEFUNKEN Wykonanie: tranzystor germanowy stopowo-dyfuzyjny p-n-p w obudowie metalowej TO-5, ekran S połączony z obudową, ciężar max 1,5 G Zastosowanie: stopnie wejściowe, mieszające i generacyjne do 220 MHz Typy podobne: AF106 (Siem) C §1 I £ r1 5,08 £6 >-mim'3-' [kranSjest połączony zobudawq Rys. 1-152. AF178 Wartości charakterystyczne" ~IcB0 ~IcB0 -UBE — UcBO — Uebo fr >*2U F Cl2e 1*121.1 GP Rel^ubl tab'ufci Clib \yi2b!
  AF178   AF178


Document
AF178 Typ tranzystora: tranzystor germanowy Firma: TELEFUNKEN Wykonanie: tranzystor germanowy stopowo-dyfuzyjny p-n-p w obudowie metalowej TO-5, ekran S połączony z obudową, ciężar max 1,5 G Zastosowanie: stopnie wejściowe, mieszające i generacyjne do 220 MHz Typy podobne: AF106 (Siem) C §1 I £ r1 5,08 £6 >-mim'3-' [kranSjest połączony zobudawq Rys. 1-152. AF178 Wartości charakterystyczne" ~IcB0 ~IcB0 -UBE — UcBO — Uebo fr >*2U F Cl2e 1*121.1 GP Rel^ubl tab'ufci Clib \yi2b! 21b Reb22fti ^22b min typ 220 25 0,5 180 20 6 max 10 50 360 50 7,5 -0,8 10 10 13 30 -15 — 12 0,4 -90 252) 90 0,3 2,3 1,8 jxA [J.A mV jxA V V MHz dB PF n dB mS mS PF mS O mOS mS mS PF przy -UCB = 12 V przy -UCB = 25 V przy -UCB = 12 V, ~IC = 1 mA przy -UCB = 12 V, - I c = 1 mA przy - / c = 50 [xA przy IE = 50 jaA przy -UCB = 12 V, IE = 1 mA przy -UCE = 12 V, - I c = 1 mA, / = przy -UCE = 12 V, - I c = 1 mA, Rg = 30 O, / = 200 MHz przy -UCE= 12 V, —Ic = 1 m A , / = przy -UCB = 12 V, IE = 1 mA, / = 2 przy -UCB= 12 V, - J c = 1 m A , / = » tamb = 25"C 2> - UCB = 12 V, TE = 1 m A , / = 200 M H z Uc -UJEFBO max ~JC max -In Wartości graniczne 2 5 V xptot max 0,5 V 0 max 10 mA n -"rft j—a max 1 mA fstg 1 mA m tnF Hh AF178 753> 75 0,6 —55-t- + 75 mW °C °C/mW °C \lOkSi i *mv f 0-/2V Rys. 1-153. Układ pomiarowy wzmocnienia mocy Rezystancję R należy tak dobrać, aby całkowita rezystancja rezonansowa wynosiła 2 kil. 3> tumb = 45°C Rys. 1-154. Charakterystyka wejściowa 0 5 -UCE M 10 Rys. 1-155. Charakterystyka wyjściowa AF111171811 r --lUcBcBOo==fp(toarmabm)etr- -UCt=25/V w? 7 ->c\AF/78 M -Ucc=3V tamt,=25°C~. -H-ł / UC[-3V 7 WWaarrttoośśćciśgrreadnniicazne 6010 SO TAMI, ['C] 100 Rys. 1-156. Zależność prądu zerowego kolektora od temperatury otoczenia 50 Rys. 1-157. Charakterystyka sterowania prądowego Rys. 1-158. Charakterystyka admitancji wejściowej na płaszczyźnie współrzędnych zes- polonych Rys. 1-159. Charakterystyka admitancji zwrotnej na płaszczyźnie współrzędnych zespolo- nych Rys. 1-160. Charakterystyka admitancji przejściowej w układzie OB na płaszczyźnie współ- rzędnych zespolonych Rys. 1-J61. Charakterystyka admitancji wyjściowej w układzie OB na płaszczyźnie współ- rzędnych zespolonych .


FS312 AF178 AF178


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)