DatasheetsPDF.com

3DD3020A6

Huajing Microelectronics

Silicon NPN Transistor

NPN ○R 3DD3020A6 1 : 3DD3020A6 NPN ,, ,, VCEO 、。 :TO-126, RoHS 。 IC Ptot(TC=25℃) 2 : TO-126 450 1.5 50 V ...


Huajing Microelectronics

3DD3020A6

File Download Download 3DD3020A6 Datasheet


Description
NPN ○R 3DD3020A6 1 : 3DD3020A6 NPN ,, ,, VCEO 、。 :TO-126, RoHS 。 IC Ptot(TC=25℃) 2 : TO-126 450 1.5 50 V A W ● ● ● ● ● 1 2 3 1. B 2. C 3. E 3 : 、, 。 C B VD E () (Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)) (PBB) (PBDE) ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ×○○○○ ○ ○: SJ/T11363-2006 。 ×: SJ/T11363-2006 。 (Pb), RoHS 。 1 5 2010 4 ,Ta= 25℃ - - - Ta=25℃ Tc=25℃ VCBO VCEO VEBO IC Ptot Tj Tstg ○R 3DD3020A6 800 450 9 1.5 1.25 50 150 -55~150 V V V A W ℃ ℃ ,Ta= 25℃ - - - - - - hFE1 hFE2 - - ICBO ICEO IEBO VCBO VCEO VEBO hFEa hFE1/ hFE2 VCE a sat VBE a sat ts tr tf fT a: tp≤300μs,δ≤2% VCB=800V, IE=0 VCE=420V, IB=B 0 VEB=9V, IC=0 IC=0.1mA IC=1mA IE=0.1mA VCE=5V, IC=0.2A hFE1:VCE=5V, IC=5mA hFE2:VCE=5V, IC=0.2A IC=0.5A, IB=B 0.1A IC=0.5A, IB=B 0.1A UI9600,IC=0.1A VCE=10V, IC=0.1A f=1MHz 0.1 0.1 0.1 800 450 9 15 35 0.75 0.9 0.4 1 2 5 0.8 1.5 5 1 1 mA mA mA V V V V V μs μs μs MHz 2 5 2010 5 IC (A) 1 () Tc=25℃ 1 0.1 0.01 1 10 100 VCE (V) Ptot (W) 60 45 30 15 0 0 ○R 3DD3020A6 2 Ptot – T Ptot-Tc Ptot-Ta 50 100 T(℃) 3 (IC -VCE) Ic(A) Ta=25℃ hhFFEE 4 hFE - IC Ta=125℃ VCE=5V 0.25 0 Ta=25℃ 10 Ta=-55℃ IB=2mA 5 Vce(V) 1 0.01 0.1 1 Ic(A) 3 5 2010 ○R 3DD3020A6 5 VCEsat - IC VCEsa1t(0V) 1 Ta=125℃ 0.1 0.01 0.01 0.1 Ta=25℃ IC/IB=B 5 1 Ic(A1)0 6 VBEsat - IC VBE1sa.t(5V) 1 0.5 0.01 Ta=25℃...




Similar Datasheet


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)