NPN
○R
3DD6012A6
1 :
3DD6012A6 NPN ,,
,、 VCEO
。 :TO-126, RoHS 。
IC Ptot(TC=25℃)
2 :
TO-126
530 1.2 50
●
...
NPN
○R
3DD6012A6
1 :
3DD6012A6
NPN ,,
,、 VCEO
。 :TO-126, RoHS 。
IC Ptot(TC=25℃)
2 :
TO-126
530 1.2 50
●
●
● ● ●
1 2 3
1. B
2. C
3. E
3 :
、, 。
B
C
V A W
E
()
(Pb)
(Hg)
(Cd) (Cr(VI)) (PBB) (PBDE)
≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1%
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
○○○○○
○
×○○○○
○
○: SJ/T11363-2006 。 ×: SJ/T11363-2006 。 (Pb), RoHS 。
1 5 2008
4
,Ta= 25℃
-
-
-
Ta=25℃ Tc=25℃
VCBO VCEO VEBO
IC
Ptot
Tj Tstg
○R 3DD6012A6
900 530 9 1.2 1.5 50 150 -55~150
V V V A
W
℃ ℃
,Ta= 25℃
- - - - - - hFE1 hFE2 - -
ICBO ICEO IEBO VCBO VCEO VEBO
hFEa
hFE1/
hFE2
VCE
a sat
VBE
a sat
ts
tr
tf
fT
a: tp≤300μs,δ≤2%
VCB=900V, IE=0 VCE=530V, IB=B 0 VEB=9V, IC=0 IC=0.1mA IC=1.0mA IE=0.1mA
VCE=5V, IC=0.3A
hFE1:VCE=5V, IC=5mA hFE2:VCE=5V, IC=0.2A IC=0.5A, IB=B 0.1A IC=0.5A, IB=B 0.1A
UI9600,IC=0.5A
VCE=10V, IC=0.1A f=1MHz
0.1 1.0 0.1 900 530 9
15 35
0.75 0.9 0.5 1.0
1
1.2 5
1.0 1.5 3 2 1.5
mA mA mA V V V
V V μs μs μs MHz
2 5
2008
○R 3DD6012A6
5
1 ()
IC (A)
Tc=25℃
Ptot (W)
2 Ptot – T
1
0.1
0.01 1
50 40 30 20
10
10 100 VCE(V)
0
Ptot-Tc
Ptot-Ta
50 100 T(℃)
Ic(A)
3 (IC -VCE)
Ta=25℃
hFE
4 hFE - IC
Ta=125℃
VCE=5V
0.25 0
10 Ta=25℃
Ta=-55℃
IB=2mA 1
5 Vce(V) 0.01 0.1
1
Ic(A)
3 5
2008
○R 3DD6012A6
10VCEsat(V) 1
5 VCEsat - IC
Ta=125℃
0.1
0.01 0.01
0.1
Ta=25℃
IC/IB=B 5
1 Ic1(A0)
VBEs1at(.V5)
6 VBEsat - IC
1 Ta=25℃
0.5 0.0...