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3DD6012A6

Huajing Microelectronics

Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

NPN ○R 3DD6012A6 1 : 3DD6012A6 NPN ,, ,、 VCEO 。 :TO-126, RoHS 。 IC Ptot(TC=25℃) 2 : TO-126 530 1.2 50 ● ...


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3DD6012A6

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Description
NPN ○R 3DD6012A6 1 : 3DD6012A6 NPN ,, ,、 VCEO 。 :TO-126, RoHS 。 IC Ptot(TC=25℃) 2 : TO-126 530 1.2 50 ● ● ● ● ● 1 2 3 1. B 2. C 3. E 3 : 、, 。 B C V A W E () (Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)) (PBB) (PBDE) ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ○○○○○ ○ ×○○○○ ○ ○: SJ/T11363-2006 。 ×: SJ/T11363-2006 。 (Pb), RoHS 。 1 5 2008 4 ,Ta= 25℃ - - - Ta=25℃ Tc=25℃ VCBO VCEO VEBO IC Ptot Tj Tstg ○R 3DD6012A6 900 530 9 1.2 1.5 50 150 -55~150 V V V A W ℃ ℃ ,Ta= 25℃ - - - - - - hFE1 hFE2 - - ICBO ICEO IEBO VCBO VCEO VEBO hFEa hFE1/ hFE2 VCE a sat VBE a sat ts tr tf fT a: tp≤300μs,δ≤2% VCB=900V, IE=0 VCE=530V, IB=B 0 VEB=9V, IC=0 IC=0.1mA IC=1.0mA IE=0.1mA VCE=5V, IC=0.3A hFE1:VCE=5V, IC=5mA hFE2:VCE=5V, IC=0.2A IC=0.5A, IB=B 0.1A IC=0.5A, IB=B 0.1A UI9600,IC=0.5A VCE=10V, IC=0.1A f=1MHz 0.1 1.0 0.1 900 530 9 15 35 0.75 0.9 0.5 1.0 1 1.2 5 1.0 1.5 3 2 1.5 mA mA mA V V V V V μs μs μs MHz 2 5 2008 ○R 3DD6012A6 5 1 () IC (A) Tc=25℃ Ptot (W) 2 Ptot – T 1 0.1 0.01 1 50 40 30 20 10 10 100 VCE(V) 0 Ptot-Tc Ptot-Ta 50 100 T(℃) Ic(A) 3 (IC -VCE) Ta=25℃ hFE 4 hFE - IC Ta=125℃ VCE=5V 0.25 0 10 Ta=25℃ Ta=-55℃ IB=2mA 1 5 Vce(V) 0.01 0.1 1 Ic(A) 3 5 2008 ○R 3DD6012A6 10VCEsat(V) 1 5 VCEsat - IC Ta=125℃ 0.1 0.01 0.01 0.1 Ta=25℃ IC/IB=B 5 1 Ic1(A0) VBEs1at(.V5) 6 VBEsat - IC 1 Ta=25℃ 0.5 0.0...




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