EMA09N03AN

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  25V  D RDSON (MAX.)  9mΩ  ID  50A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMA09N03AN LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=37.5A, RG=25Ω Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  50  35  140  37.5  70  15  50  20  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=25A, Rated VDS=25V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％            2.5  °C / W  75  2013/8/22  p.1    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMA09N03AN LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON...