Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
Technische Information / technical information
TT430N
Key Parameters VDRM / VRRM ITAVM ITSM VT0 rT RthJC Base plate
2200 V 430 A (TC=85 °C) 14000 A 0,95 V 0,45 mΩ 0,062 K/W 60 mm
For type designation please refer to actual short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit
Advanced Medium Power Technology (AMPT) Industrie-Standard-Gehäuse Elektrisch isolierte Bodenplatte
Features Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT) Industrial standard package Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Sanftanlasser Gleichrichter für Antriebsapplikationen Kurzschließer-Applikationen Leistungssteller Gleichrichter für UPS Batterieladegleichrichter Statische Umschalter Bypass-Schalter
Typical Applications
Soft starter Rectifier for drives applications Crowbar applications Power controllers Rectifiers for UBS Battery chargers Static switches Bypass swich
content of customer DMX code
serial number SAP material number Internal production order number datecode (production year) datecode (production week)
DMX code digit 1..5 6..12 13..20 21..22 23..24
DMX code digit quantity
5 7 8 2 2
TT
Date of Publication 2014-04-14
Revision: 3.4
TD
www.ifbip.com
[email protected]
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Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
Technische Information / technical information
TT430N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
TT430N
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
TD430N VDRM,VRRM
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VDSM
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
ITRMSM
Dauergrenzstrom average on-state current
TC = 85°C
ITAVM
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms
ITSM
Grenzlastintegral I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(diT/dt)cr
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe / 6th letter F
(dvD/dt)cr
2200 V
2200 V
2300 V
800 A
430 A
14000 A 12000 A 980000 A²s 720000 A²s
150 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Zündstrom gate trigger current
Zündspannung gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage
Halte.