RT1A050ZP

RT1A050ZP 　　Pch -12V -5A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD -12V 26mΩ ±5A 1.25W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) High power package 3) Low voltage drive(1.5V) lOutline TSST8 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　　　　　　 　 　 　 　　　　　　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 180 lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 8 3000 Taping code TR lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) Marking YH Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS -12 V Continuous drain current ID ±5 A Pulsed drain current ID,pulse*1 ±20 A Gate - Source voltage VGSS ±10 V Power dissipation PD*2 1.25 W PD*3 0.6 W Junction temperature Tj 150 ℃ Range of storage temperature Tstg -55 to +150 ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150730 - Rev.001 　 　 RT1A050ZP 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*2 RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 100 - - 208 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA Breakdown voltage temperature coefficient 　ΔV(BR)DSS　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Zero gate voltage drain current IDSS VDS = -...