RQ1E050RP

RQ1E050RP 　　Pch -30V -5A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD -30V 31mΩ ±5A 1.5W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8). 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lOutline TSMT8 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　　　　　　 　 　 　 　　　　　　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 180 lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 8 3000 Taping code TR lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) Marking UD Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS -30 V Continuous drain current ID ±5 A Pulsed drain current ID,pulse*1 ±20 A Gate - Source voltage VGSS ±20 V Power dissipation PD*2 1.5 W PD*3 0.7 W Junction temperature Tj 150 ℃ Range of storage temperature Tstg -55 to +150 ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150730 - Rev.001 　 　 RQ1E050RP 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*2 RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 83.3 - - 178 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA Breakdown voltage temperature coefficient 　ΔV(BR)DSS　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 ...