KT8232A

КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОЩ НЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР Предназначендляприменениявпереключающихиимпульсныхсхемах. Идеально подходитдляэлектронныхсистемзажигания. Имеетвстроенныйдиодвцепиколлектор- эмиттерисхемузащитыотвторичного пробоя, R1 800 Ом, R2 80 Ом. Предельно-допустимыережимыэксплуатации Наименованиепараметра Напряжениеколлектор-эмиттер(IБ=0) Напряжениеэмиттер-база(IC=0) Постоянныйтокколлектора Импульсныйтокколлектора Постоянныйтокбазы Импульсныйтокбазы Постояннаярассеиваемаямощность Энергияпробоянаиндуктивнуюнагрузку Диапазонрабочихтемпературперехода Максимальнаятемператураперехода Обозначение Величина Ед. изм. UCEO 350. . гр.А 300. . гр.Б B UEBО IC ICM IB IBМ PD Е Tj Tjmax 5 20 30 3 5 125* 350 -60 до+150 +150 B А А А А Вт мДж ¦С ¦С * приТк= +25 ¦С Электрическиехарактеристики Наименованиепараметра Граничноенапряжение коллектор-эмиттер (IC=100 мА) Обратныйтокколлекторэмиттер(IB=0) Обратныйтокэмиттер-база (IC=0) Статическийкоэффициент передачитока Напряжениенасыщения коллектор-эмиттер Напряжениенасыщениябазаэмиттер Прямоенапряжениенадиоде Обозна- Единица Величина Режим чение измеренияМин. Макс. измерения UCEO(sus) В 350 500 группаА 250 350 группаБ ICЕO мА 0.1 UCЕ=300 B (А) 0.1 UCЕ=250 B (Б) IЕВO мА 20 UEB=5 B hFE** 300 IC=5 А, UCЕ=10 B UCE(sat)** В IC=8 А, IB=0.1 1.8 1.8 2.0 А IC=10 А, IB=0.25 А IC=12 А, IB=0.3 А UBE(sat)** B IC=8 А, IB=0.1 А 2.2 2.5 2.7 IC=10 А, IB=0.25 А IC=12 А, IB=0.3 А UF B 2.5 IF=10 А *...