Document
НТЦ СИТ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК
КТ863/БС(x)
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР
ОСОБЕННОСТИ_________
• Малая зависимость коэффициента усиления h21э от температуры
• Максимально допустимый постоянный ток коллектора до 12 А, импульсный – до 15 А.
• Максимально допустимое напряжения коллектор-эмиттер до 160 В (при Rэб=1кОм)
• Температура окружающей среды минус 60°С ... плюс 130°С
• Корпус ТО-220, ТО-263
Корпус ТО-220 (КТ-28) Типономинал КТ863/БС
Корпус ТО-263 Типономинал КТ863/БС1 1 – База 2 – Коллектор 3 – Эмиттер
________________ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Наименование параметра,
единица измерения
Обратный ток коллекторэмиттер, мА
Буквенное
Норма
обозн.
Не Не
менее более
IкэR - 0.1
Режим
Uкэ = 160 В Rэб =1 кОм
Температура, °С
+25
Обратный ток эмиттербаза, мА Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В Коэффициент усиления
Iэбо Uкэнас
-
Uбэнас h21э
200
0.1 Uкэ = 80 В 0.1 Uэб = 5В
+25
0.55 Iк = 5А, Iб=0.04А -60…+130
0.4 Iк = 0.27А, Iб=2 мА 0.9 Iк = 0 А, Iб=0.15 А
+25
Iк = 5 А
-60…+130
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР КТ863/БС(х)
___ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ
ПРИ Т= -60°С...+130°С
Наименование параметра, единица измерения, (режим измерения)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Rэб=0), В Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Rэб=1кОм), В Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В Максимальное постоянное напряжение эмиттербаза, В Максимальный постоянный ток коллектора, А Максимальный импульсный ток коллектора, А
Максимальная температура перехода, °С
Буквенное обозначение
Uкэк max
UкэR max
Uкэ0 max Uэб max
Iк max Iки max Tп max
Норма
160
160
80 5
12 15 150
Примечание
1 1,2
Примечания: 1 При условии непревышения максимально - допустимой температуры перехода. 2 При длительности импульса не более 5 мс и скважности не менее 10.
ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ ________________________
Корпус ТО-220 (KT-28-2)
Миллиметры
Мин. Мак.
A 15.20 15.90
B 10.25 10.65
C 4.30 4.80
D 0.60 1.15
F 3.60 3.72
G 2.30 2.70
H-
6.30
J 0.55 1.10
K 12.70 14.20
L 1.15 1.70
Q 2.60 3.00
R 2.10 2.80
S 1.10 1.37
T 5.90 6.80
февраль 15 г.
2
НТЦ СИТ
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР КТ863/БС(х)
Корпус ТО-263
Миллиметры
Мин. Мак.
A 8.64 9.65
B 9.65 10.29
C 4.06 4.83
D 0.51 0.99
E 1.14 1.40
F 1.14 1.40
J 0.46 0.74
K 14.61 15.88
L 2.54
M 0°
8°
N 2.03 2.79
S 1.27 1.78
U 2.29 2.79
V 1.02 1.40
Y 6.86 8.13
Z 7.11 8.13
февраль 15 г.
3
НТЦ СИТ
.