DatasheetsPDF.com

KT863BS Dataheets PDF



Part Number KT863BS
Manufacturers SIT
Logo SIT
Description Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR
Datasheet KT863BS DatasheetKT863BS Datasheet (PDF)

НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК КТ863/БС(x) КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР ОСОБЕННОСТИ_________ • Малая зависимость коэффициента усиления h21э от температуры • Максимально допустимый постоянный ток коллектора до 12 А, импульсный – до 15 А. • Максимально допустимое напряжения коллектор-эмиттер до 160 В (при Rэб=1кОм) • Температура окружающей среды минус 60°С ... плюс 130°С • Корпус ТО-220, ТО-263 Корпус ТО-220 (КТ-2.

  KT863BS   KT863BS


Document
НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК КТ863/БС(x) КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР ОСОБЕННОСТИ_________ • Малая зависимость коэффициента усиления h21э от температуры • Максимально допустимый постоянный ток коллектора до 12 А, импульсный – до 15 А. • Максимально допустимое напряжения коллектор-эмиттер до 160 В (при Rэб=1кОм) • Температура окружающей среды минус 60°С ... плюс 130°С • Корпус ТО-220, ТО-263 Корпус ТО-220 (КТ-28) Типономинал КТ863/БС Корпус ТО-263 Типономинал КТ863/БС1 1 – База 2 – Коллектор 3 – Эмиттер ________________ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ Наименование параметра, единица измерения Обратный ток коллекторэмиттер, мА Буквенное Норма обозн. Не Не менее более IкэR - 0.1 Режим Uкэ = 160 В Rэб =1 кОм Температура, °С +25 Обратный ток эмиттербаза, мА Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В Напряжение насыщения база-эмиттер, В Коэффициент усиления Iэбо Uкэнас - Uбэнас h21э 200 0.1 Uкэ = 80 В 0.1 Uэб = 5В +25 0.55 Iк = 5А, Iб=0.04А -60…+130 0.4 Iк = 0.27А, Iб=2 мА 0.9 Iк = 0 А, Iб=0.15 А +25 Iк = 5 А -60…+130 КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР КТ863/БС(х) ___ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ ПРИ Т= -60°С...+130°С Наименование параметра, единица измерения, (режим измерения) Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Rэб=0), В Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Rэб=1кОм), В Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В Максимальное постоянное напряжение эмиттербаза, В Максимальный постоянный ток коллектора, А Максимальный импульсный ток коллектора, А Максимальная температура перехода, °С Буквенное обозначение Uкэк max UкэR max Uкэ0 max Uэб max Iк max Iки max Tп max Норма 160 160 80 5 12 15 150 Примечание 1 1,2 Примечания: 1 При условии непревышения максимально - допустимой температуры перехода. 2 При длительности импульса не более 5 мс и скважности не менее 10. ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ ________________________ Корпус ТО-220 (KT-28-2) Миллиметры Мин. Мак. A 15.20 15.90 B 10.25 10.65 C 4.30 4.80 D 0.60 1.15 F 3.60 3.72 G 2.30 2.70 H- 6.30 J 0.55 1.10 K 12.70 14.20 L 1.15 1.70 Q 2.60 3.00 R 2.10 2.80 S 1.10 1.37 T 5.90 6.80 февраль 15 г. 2 НТЦ СИТ КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР КТ863/БС(х) Корпус ТО-263 Миллиметры Мин. Мак. A 8.64 9.65 B 9.65 10.29 C 4.06 4.83 D 0.51 0.99 E 1.14 1.40 F 1.14 1.40 J 0.46 0.74 K 14.61 15.88 L 2.54 M 0° 8° N 2.03 2.79 S 1.27 1.78 U 2.29 2.79 V 1.02 1.40 Y 6.86 8.13 Z 7.11 8.13 февраль 15 г. 3 НТЦ СИТ .


KT863 KT863BS KT863B


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)