power MOSFET. 8205C Datasheet

8205C Datasheet PDF, Equivalent


Part Number

8205C

Description

N-channel enhancement mode power MOSFET

Manufacture

ETC

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8205C Datasheet
N 沟道增强型功率 MOSFET
8205A/8205B/8205C
1. 描述
共漏极N沟道增强型功率场效应管8205A/8205B/ 8205C
具有快速开关、超低导通电阻和高性价比的特点。
8205A/8205B/8205C 适用于设计电池保护或低压开关的电路。
引脚排列
2. 特点
z 低导通电阻
z 低驱动电流
z 低栅极电压 2.5V
z VBDSB=20V
z IDB =B 6A @ VGB S=B 4.5V
z 8205A
RDS(ON)
B
<32m
B
@
VGB S=B 4.5V
z 8205B
RBDS(ON)<B 35m@ V GSB B=4.5V
z 8205C
R
B
DS(ON)<B 38m
@
VGB S
=B 4.5V
3. 应用领域
z 锂电池充电保护
z 电源管理
z 便携式设备
z 负载开关
4. 框图
(顶视)
OCT. 2012
1

8205C Datasheet
8205A/8205B/8205C
5. 订购信息
工作温度范围(结温)
封装
TSSOP8
Pb-Free
-55°C ~ +150°C
TSSOP8
Pb-Free
SOT23-6
Pb-Free
订购型号
8205A
8205B
8205C
8205ATR
8205BTR
8205CTR
8205AS6
8205BS6
8205CS6
包装数量
100 /
4000 /
3000 /
6. 最大额定参数
参数
符号
漏源电压
栅源电压
漏极电流,VBGS =B 4.5V@TBaB=25°C
漏极电流,VBGS =B 4.5V@TBaB=70°C
漏极脉冲电流(注1
功耗,@TBaB=25°C
工作结温
存储温度
功耗随温升的线性降低因数
VDSB B
VGSB B
IDB B
IDB B
IDMB B
PDB B
TjB B
TstgB B
20
±10
6
4.8
20
1.5
-55 ~ +150
-55 ~ +150
0.008
热阻,结到环境(注2
RtB hj-aB
83
1:脉冲宽度受最大结温限制
2:贴装在1平方英寸铜盘上,板材FR4;当贴装在最小铜盘上,208°C /W
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
W/°C
°C/W
7. 电气特性
TjB B = 25°C,除非另有注明)
参数
符号
漏源击穿电压
漏源漏电流
栅源漏电流
击穿电压温度系数
栅极门限电压
BVDSSB B
IDSSB B
IGSSB B
BVBDSS
/TjB B
VGB S(th)B
测试条件
VGB S
=
B
0,
IDB
=
B
250µA
VDSB B
=
20V,
VGB S
=
B
0
VGSB B = ±10V,VBDSB = 0
参考点25°C
IDB B =1mA
VDSB B
=
V ,GSB B
IDB
=
B
250μA
最小值
20
-
-
典型值
22
-
-
- 0.03
0.5 0.70
最大值
40
1
±100
单位
V
uA
nA
- V/°C
1.2 V
2


Features Datasheet pdf N MOSFET 8205A/8205B/8205C 1. N8205A /8205B/ 8205C 、 8205A/8205B/8205C 2. z z z 2.5V z VBDSB=20V z ID B =B 6A @ VGB S=B 4.5V z 8205A : RDS (ON) B <32m B Ω @ VGB S=B 4.5V z 8205B : RBDS(ON)
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