Trench MOSFET. TXY8205A Datasheet

TXY8205A MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

TXY8205A Datasheet
Recommendation TXY8205A Datasheet
Part TXY8205A
Description Dual N-CHANNEL High Density Trench MOSFET
Feature TXY8205A; Dual N-Channel High Density Trench MOSFET N TYPE BVDSS - TXY8205A 20V ID 6A RDS(ON) (Typ.).
Manufacture TMOS
Datasheet
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TMOS TXY8205A
Dual N-Channel High Density Trench MOSFET
N 沟道高密度场效应晶体管
TYPE
器件型号
BVDSS
-源极电压
TXY8205A
20V
ID
电流
6A
RDS(ON) (Typ.)
导通电阻 (典型值)
23@VGS=4.5V
34@VGS=2.5V
FEATURES 特点
High density cell trench design for low RDS(ON)
高密度沟槽式单元超低导通电阻设计
Rugged and reliable
坚固可靠
Surface mount package
表面黏着包装形式
Lead Free available(Green Product)
无铅或绿色产品
PIN CONFIGURATION 管脚说明及内部电路图
TXY8205A
ORDERING INFORMATION 订购信息
Device
Package
器件名称
封装形式
TXY8205A
TSSOP-8
Packing
包装形式
Tape Reel
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DS-Rev-1.4



TMOS TXY8205A
TXY8205A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 绝对最大额定值 (TA = 25 unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Value
符号
参数描述
最大限定值
VDSS
Drain-Source Voltage (VGS=0V )
漏极-源极击穿电压
20
VGSS
ID (a)
Gate- source Voltage
栅极-源极击穿电压
Drain Current (continuous)
连续漏极电流
at TC = 25
at TC = 70
±12
6
4
IDM (b)
Drain Current (pulsed)
浪涌漏极电流
28
Power Dissipation
Ptot
功耗
2.0
Tj , Tstg
Operating Junction and Storage Temperature Range
工作与储存温度
- 55~150
(a) Current limited by package 包装之电流极限
(b) Pulse test: Pulse width300us, duty cycle2% 脉冲测试:脉冲宽度≦300us,占空比≦2
THERMAL DATA 热特性
RθJA
Thermal Resistance Junction to Ambient
-环境热阻
62.5
Unit
单位
V
A
W
/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电器特性 (TA = 25 unless otherwise specified)
OFF
Symbol
符号
Parameter
参数描述
Test Conditions
测试条件
Min
最小值
Typ
典型值
BVDSS
Drain-source Breakdown Voltage
漏极-源极击穿电压
ID = 250 uA , VGS = 0V
20 --
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 16V
零栅电压漏极电流
-- --
Gate-Body Leakage Current
IGSS
VGS =±12V
栅极泄漏电流
-- --
Max
最大值
--
1
±100
Unit
单位
V
uA
nA
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TMOS TXY8205A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电器特性 (continued)
ON
Symbol
符号
Parameter
参数描述
Test Conditions
测试条件
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
栅极阀值电压
VDS = VGS , ID = 250uA
RDS(on)
Static Drain-source On Resistance
漏极-源极导通电阻
VGS = 4.5V , ID= 6A
VGS = 2.5V , ID= 5A
TXY8205A
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
单位
0.5 0.7 1.2 V
-- 23 25
-- 34 40
DYNAMIC
Symbol
符号
Ciss
Coss
Crss
Parameter
参数描述
Input Capacitance
输入电容
Output Capacitance
输出电容
Reverse Transfer Capacitance
反向传输电容
Test Conditions
测试条件
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
单位
-- 595 --
VDS = 10V, f = 1 MHz , VGS=0V -- 140 -- PF
-- 125 --
SWITCHING ON
Symbol
符号
Parameter
参数描述
td ( on )
Turn-on Delay Time
开启延迟时间
Rise Time
tr
上升时间
Total Gate Charge
Qg
栅极总电荷
Gate-Source Charge
Qgs
栅极-源极电荷
Gate-Drain Charge
Qgd
栅极-漏极电荷
Test Conditions
测试条件
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
单位
-- 3.5 --
VDD=10V ,
ID= 6A ,
Rg=3Ω , VGS=4.5V
ns
-- 13.5 --
VDD = 10V ID =6 A
VGS= 4.5V
-- 21 --
-- 1.3 -- nc
-- 3.3 --
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