Document
IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
Микросхема IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
(аналог САТ93С66 ф.Catalyst) –
электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ с информационной емкостью 4К (512х8 и/или 256х16) с 3-х проводным интерфейсом. Для микросхем IN93AA66CN, IN93AA66CD при подключении вывода ORG к общему выводу выбирается организация 512х8 бит. Если вывод ORG подключен к выводу питания от источника напряжения или остается свободным, то выбирается организация 256х16 бит. Для микросхем типономиналов А и В вывод ORG не подключается. При этом микросхема IN93AA66AN, IN93AA66AD имеет организацию 512х8, а микросхема IN93AA66BN, IN93AA66BD – организацию 256х16 бит.
Микросхема предназначена для записи, считывания и длительного энергонезависимого неразрушаемого хранения информации в системах с 3-х проводным интерфейсом. Используется в телевизионных приемниках, в технике связи, контрольно-измерительной аппаратуре, изделиях бытовой электроники.
08
08 01
Индекс N 01 DIP-корпус
Индекс D SO-корпус
Рисунок 1 - Микросхемы в DIP и SO-корпусах
Отличительные особенности: • неразрушаемое хранение 4 Кбит информации в течение 100 лет при Тa = 25 оС; • один источник питания (UСС = 1,8 B – 6,0 В); • встроенный в кристалл умножитель напряжения; • возможность образования общей шины ввода/вывода; • автоматическое приращение адреса слова; • внутренний таймер для записи; • 1 000 000 циклов стирания/записи на байт; • установка внутренней логики по включению питания; • неограниченное количество циклов считывания; • низкая потребляемая мощность; • температурный диапазон от минус 40 до плюс 85 оС
CS 01 SK 02 DI 03 DO 04
08 Vcc 07 NC 06 NC (ORG) 05 GND
Рисунок 2 – Обозначение выводов в корпусе микросхем IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, (IN93AA66CN/CD)
Ред.01/15.06.2008
1
IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
Рисунок 3 – Структурная схема микросхем IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, (IN93AA66CN/CD)
Ред.01/15.06.2008
2
IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
Таблица 1 - Назначение выводов микросхем IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD
ОбозначеCS SK DI DO
GND NC NC VCC
Вывод 01 02 03 04 05 06 07 08
Назначение Вход сигнала “Выбор кристалла” Вход тактового сигнала Вход последовательных данных Выход последовательных данных Общий вывод Вывод свободный Вывод свободный Вывод питания от источника напряжения
Таблица 2 - Назначение выводов микросхем IN93AA66CN/CD
Обозначение CS SK DI DO
GND ORG NC VCC
Вывод 01 02 03 04 05 06 07 08
Назначение Вход сигнала “Выбор кристалла” Вход тактового сигнала Вход последовательных данных Выход последовательных данных Общий вывод Вход сигнала “Выбор конфигурации памяти” Вывод свободный Вывод питания от источника напряжения
Ред.01/15.06.2008
3
IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
Таблица 3 – Предельно-допустимые и предельные режимы эксплуатации
Наименование параметра, единица Буквен-
измерения
ное
обозна-
чение
Напряжение питания, В
Входное напряжение высокого уровня, В
при 4,5 В ≤ UCC ≤ 5,5 В при 1,8 В ≤ UCC < 4,5 В Входное напряжение низкого уровня, В при 4,0 В ≤ UCC ≤ 5,5 В при 1,8 В ≤ UCC < 4,0 В Выходной ток короткого замыкания, мА
Температура среды
1) Время воздействия не более 1 с
UCC UIH
UIL IOS 1) Ta
Предельно допустимый режим Норма
не менее не более 1,8 6,0
2,0 0,7 UCC
UCC + 1,0 UCC + 1,0
-0,1 0,8 0 0,2 UCC
--
-40 85
Предельный режим Норма
не менее не более - 0,5 7,0
- 0,5 UCC + 1,0 - 0,5 UCC + 1,0
--- 100
-60 150
Микросхемы устойчивы к воздействию статического электричества с потенциалом 2000 В. Входная емкость микросхем не более 5 пФ. Выходная емкость микросхем не более 5 пФ.
Ред.01/15.06.2008
4
IN93AA66AN/AD, IN93AA66BN/BD, IN93AA66CN/CD
Таблица 4 - Электрические параметры микросхем при Та от минус 45 до 85 °С
Наименование параметра, единица измерения
Буквенное обозначение
Режим измерения
Выходное напряжение низкого уровня, В
Выходное напряжение высокого уровня, В
UOL1 UOH1
4,5 В ≤ UCC ≤ 5,5 В IOL = 2,1 мА
4,5 В ≤ UCC ≤ 5,5 В IOH = -400 мкА
Выходное напряжение низкого уровня, В Выходное напряжение высокого уровня, В Ток утечки низкого уровня на входе, мкА Ток утечки высокого уровня на входе, мкА Ток утечки низкого уровня на выходе, мкА
Ток утечки высокого уровня на выходе, мкА
Ток потребления (8-разрядный режим), мкА
UOL2 UOH2 IILL IILH IOLL
IOLH
ICC1
1,8 В ≤ UCC ≤ 4,5 В IOL = 1,0 мА
1,8 В ≤ UCC < 4,5 В IOH = -100 мкА
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В UI = 0 В
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В UI = UCC
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В UO = 0 В UCS = 0 В
1,8 В ≤ UCC ≤ 6,0 В UO = UCC UCS = 0 В
UCC = 5,5 B UCS = 0 В
Норма не менее не более
– 0,4
2,4 –
– UCC-0,2
– – –
0,2 – -1,0 1,0 -1,0
– 1,0
– 10
IN93AA66CN, IN93AA66CD IN93AA66AN, IN93AA66AD
Ток потребления (16-разрядный режим), мкА
UORG = 0 В ORG свободный (NC)
ICC2 UCC = 5,5 B UCS = 0 В
– 10
IN93AA66CN, IN93AA66CD IN93AA66BN, IN93AA66BD
Динамический ток потребления в режиме считывания, мкА Динамический ток потребления в режиме стирания / записи, мА Время установления выхода в состояние низкого уровня по сигналу .