PULSE WIDTH MODULATION MICROCIRCUIT OF POWER MOS TRANSISTOR
IL6083N, IL6083N-01
МИКРОСХЕМА ШИМ КОНТРОЛЛЕРА МОЩНОГО МОП ТРАНЗИСТОРА.
Микросхема является ИС ШИМ контроллера для управ...
Description
IL6083N, IL6083N-01
МИКРОСХЕМА ШИМ КОНТРОЛЛЕРА МОЩНОГО МОП ТРАНЗИСТОРА.
Микросхема является ИС ШИМ контроллера для управления мощным N– канальным МОП транзистором, используемом в качестве переключателя. Контроллер идеален для использования в управлении яркостью свечения ламп, применяемых в приборной панели автомобиля. Микросхема разработана для непосредственного управления затвором мощного МОП транзистора.
Функциональные возможности:
Осуществляет широтно-импульсную модуляцию с частотой до 2 кГц. Защита от короткого замыкания, повышенного напряжения в нагрузке и неправильной полярности напряжения питания UBatt. Обеспечивает непрерывность рабочего цикла от 18 до 100% - IL6083N (от 10 до 100% - IL6083N-01). Внутреннее ограничение скорости нарастания импульса напряжения в лампе. Защита от обрыва шины земли.
Рисунок 1 - DIP-8 корпус типа MS-001BA TA=от -40oC до +110oC
UBatt 1 GND 2
UI 3 Osc 4
8 Output 7 2Us 6 Sense 5 Delay
Рисунок 2 - Обозначение выводов в корпусе
Особенности:
Питание микросхемы осуществляется от напряжения питания бортовой сети автомобиля
Минимальное число внешних времязадающих компонентов. Диапазон рабочего напряжения питания микросхемы от 9 В до 16,5 В.
1
Предельные режимы.
IL6083N, IL6083N-01
Наименование параметра, обозначение
не менее
не более
Напряжение питания UBatt Температура хранения Tstg
32,5 -55 +125
Максимальная температура кристалла Tj(max)
+150
Температурное сопротивление кристалл - окружающая cреда Rth j-a, =120 oC/Вт
Единица измер...
Similar Datasheet