Effect Transistor. B20N03 Datasheet

B20N03 Transistor. Datasheet pdf. Equivalent

Part B20N03
Description N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Feature CHIPSET-IC.COM     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary.
Manufacture Excelliance MOS
Datasheet
Download B20N03 Datasheet

CHIPSET-IC.COM     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode F B20N03 Datasheet
Recommendation Recommendation Datasheet B20N03 Datasheet




B20N03
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
20mΩ 
ID  12A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
PD 
Tj, Tstg 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
2013/8/17 
 
 
EMB20N03V
LIMITS 
±20 
12 
9 
48 
8 
3.2 
1.6 
21 
8.3 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 



B20N03
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB20N03V
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 24V, VGS = 0V 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 10V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 8A 
VGS = 4.5V, ID = 6A 
VDS = 5V, ID = 8A 
DYNAMIC 
30   
1  1.5
  
  
  
12   
  15.5
  25
  16
 
3 
±100
1 
25 
 
20 
30 
 
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Rg 
Qg(VGS=10V)
Qg(VGS=4.5V)
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
 
VDS = 15V, VGS = 10V, 
ID = 8A 
 
VDS = 15V,   
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
  520  
  88
  pF
  62
 
  2.0   Ω 
  11.5  
  5 
  nC
  1.6  
  2.8  
  9 
 
  12
  30
  nS
 
  15
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
Reverse Recovery Time   
Peak Reverse Recovery Current 
Reverse Recovery Charge 
IS 
ISM 
VSD 
trr 
IRM(REC) 
Qrr 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
    2.3 
A 
    9.2 
    1.2  V 
  45
  nS
  30   A 
  2 
  nC
2013/8/17 
p.2 





@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)