DatasheetsPDF.com

EMB20N03V Dataheets PDF



Part Number EMB20N03V
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description N-Channel MOSFET
Datasheet EMB20N03V DatasheetEMB20N03V Datasheet (PDF)

CHIPSET-IC.COM     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  20mΩ  ID  12A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH.

  EMB20N03V   EMB20N03V



Document
CHIPSET-IC.COM     N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  20mΩ  ID  12A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  PD  Tj, Tstg  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%  350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.  2013/8/17      EMB20N03V LIMITS  ±20  12  9  48  8  3.2  1.6  21  8.3  2.5  1  ‐55 to 150  UNIT  V  A  mJ  W  W  °C  MAXIMUM  6  50  UNIT  °C / W  p.1      ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMB20N03V LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  CHIPSET-IC.COM Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = 250A  VDS = VGS, ID = 250A  VDS = 0V, VGS = ±20V  VDS = 24V, VGS = 0V  VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  VDS = 10V, VGS = 10V  VGS = 10V, ID = 8A  VGS = 4.5V, ID = 6A  VDS = 5V, ID = 8A  DYNAMIC  30    1  1.5          12      15.5   25   16   3  ±100 1  25    20  30    V  nA A A  mΩ S  Input Capacitance  Output Capacitance  Reverse Transfer Capacitance    Gate Resistance  Total Gate Charge1,2  Gate‐Source Charge1,2  Gate‐Drain Charge1,2  Turn‐On Delay Time1,2  Rise Time1,2  Turn‐Off Delay Time1,2  Fall Time1,2  Ciss  Coss  Crss  Rg  Qg(VGS=10V) Qg(VGS=4.5V) Qgs  Qgd  td(on)  tr  td(off)  tf    VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz    VDS = 15V, VGS = 10V,  ID = 8A    VDS = 15V,    ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω      520     88   pF   62     2.0   Ω    11.5     5    nC   1.6     2.8     9      12   30   nS     15   SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C)  Continuous Current  Pulsed Current3  Forward Voltage1  Reverse Recovery Time    Peak Reverse Recovery Current  Reverse Recovery Charge  IS  ISM  VSD  trr  IRM(REC)  Qrr      IF = IS, VGS = 0V    IF = IS, dlF/dt = 100A / S        2.3  A      9.2      1.2  V    45   nS   30   A    2    nC 2013/8/17  p.2  LSET-IC.COM E3 E1 E2 E   1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2%.  2Independent of operating temperature.  3Pulse width limited by maximum junction temperature.  Ordering & Marking Information:  Device Name: EMB20N03V for EDFN 3 x 3        B20   N03 B20N03: Device Name    ABCDEFG ABCDEFG: Date Code      Outline Drawing    b 0.10        e    D D1   L1       Dimension in mm    Θ1 A1 c A EMB20N03V 3.75 CHIP 0.6 0.5 2.05 0.6 Dimension  A  A1  b  c  D  D1  E  E1  E2  E3  e  L  L1  Ѳ1    Min.  0.70  0  0.24  0.10  2.95 2.25 3.15 2.95 1.65     0.30    0∘    Typ.  0.80    0.30  0.152 3.00 2.35 3.20 3.00 1.75 0.575 0.65  0.40  0.13 10∘    Max.  0.90  0.05  0.37  0.25  3.15 2.45 3.40 3.15 1.96     0.50    12∘    Recommended minimum pads             2.6 0.65 0.4 2013/8/17  p.3  Is ‐ Reverse Drain Current( A )CHIPSET         30 On‐Region Characteristics VG S = 10V 6V   25 7V 5V   20   4.5V   15 I D ‐ Drain Current(A)   10  5   0   01 2 34 VD S  ‐ Drain Source Voltage(V) 5   1.9 On‐Resistance Variation with Temperature   I D  = 8A   VG S  = 10V 1.6      R D S ( o n )  ‐ Normalized Drain‐Source On‐Resistance   1.3     1.0   0.7   0.4   ‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150 T J ‐ Junction Temperature (°C)     30 Transfer Characteristics   VD S  = 10V   25   20 T A  = ‐55° C 25° C I D ‐ Drain Current(A)   15   10 125° C   5   0   1 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 VG S  ‐ Gate‐Source Voltage( V )             2013/8/17  R D S ( O  N)  ‐ On‐Resistance( Ω-I )C.C               R  D S(  O N )  ‐NormalizedOM Drain‐Source On‐Resistance   EMB20N03V On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage 2.4 2.2 2.0 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0 V G  S = 4.5 V 5.0 V 6.0 V 7.0 V 10 V 6 12 18 I D  ‐ Drain Current(A) 24 30 On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage 0.09 0.08 I D  = 6 A 0.07 0.06 0.05 0.04 0.03 0.02 0.01 2 T A  = 125°C T A  = 25°C 46 8 VG  S ‐ Gate‐Source Voltage( V ) 10 Body Diode Forward Voltage Variation  with Source Current and Temperature 100 VG S   = 0V 10 T A  = 125° C 1 25° C 0.1 ‐55° C 0.01 0.001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 VS.


B20N03 EMB20N03V UC3842A-BW


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)