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BSC061N08NS5
MOSFET
OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
Features
•OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. •100%avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS
80
V
RDS(on),max
6.1
mΩ
ID
82
A
Qoss
33
nC
QG(0V..10V)
27
nC
SuperSO8
8 7 65
56 78
1 23 4
4321
S1
8D
S2
7D
S3
6D
G4
5D
Type/OrderingCode BSC061N08NS5
Package PG-TDSON-8
Marking 061N08NS
RelatedLinks -
1) J-STD20 and JESD22
Final Data Sheet
1
Rev.2.1,2019-11-04
OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
BSC061N08NS5
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Final Data Sheet
2
Rev.2.1,2019-11-04
OptiMOSTM5Power-Transistor,80V
BSC061N08NS5
1Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current
Pulsed drain current2) Avalanche energy, single pulse3) Gate source voltage Power dissipation
Operating and storage temperature
ID
ID,pulse EAS VGS Ptot
Tj,Tstg
Min.
-
-20 -
-55
Values
Typ. Max.
-
82
-
52
-
19
-
328
-
50
-
20
-
74
-
2.5
-
150
Unit Note/TestCondition
VGS=10V,TC=25°C A VGS=10V,TC=100°C
VGS=10V,TC=25°C,RthJA=50K/W1)
A TC=25°C
mJ ID=50A,RGS=25Ω
V-
W
TC=25°C TA=25°C,RthJA=50K/W1)
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1: 55/150/56
2Thermalcharacteristics
Table3.