INFRARED EMITTING DIODES
ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAlAs)
HL615
HL615は、レンズきのタイプのGaAlAsダイオードです。
HL615 is a surface mount type GaAlAs infra...
Description
ダイオード INFRARED EMITTING DIODES(GaAlAs)
HL615
HL615は、レンズきのタイプのGaAlAsダイオードです。
HL615 is a surface mount type GaAlAs infrared emitting diode with resin lens.
FEATURES
● レンズきパッケージ、 ±20° Package with resin lens, half angle ±20°
● パッケージ 3.2(L) x 1.5(W) x 2.0(H) mm Small thin SMD package 3.2(L) x 1.5(W) x 2.0(H) mm
● のからのが Available to be mounted on the PCB backside
● フリーはんだ リフロー Pb free, reflow soldering available
APPLICATIONS
CCD、カメラ、カメラの
Light source for CCD, Security camera, Night vision device
MAXIMUM RATINGS
(Ta=25℃)
Item Symbol Rating Unit
Reverse Voltage
VR 5 V
Forward Current パ ル ス Pulse Forward Current
IF IFP
50 mA 0.5 *1 A
Power Dissipation Operating Temp.
PD Topr.
70 mW -20~+70*2 ℃
Storage Temp.
Tstg. -30~+90 ℃
はんだけ Soldering Temp.
*1. パルス100μs、パルス 10ms [デューティ 1%] Pulse width=100μs, Pulse period=10ms [Duty=1%]
*2. きこと No dew
Tsol.
260 ℃
ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS
Item Forward Voltage Reverse Current ピ ー ク Peak Emission ス ペ ク ト ル Spectral Bandwidth 50% Radiant Intensity Half Angle
*3. の Measured by tester of KODENSHI CORP.
Symbol VF IR λP
△λ PO △θ
Conditions IF=20mA VR=4V IF=50mA IF=20mA IF=20mA
─
Min. ─ ─ ─ ─ *3 ─ ─
Typ. 1.4 ─ 850 45 (2.6) ±20
(Ta=25℃)
Max. ─
Unit V
10 μA
─ nm
─ nm
─ mW
─ deg
3.2 0.6
R0.75 1.9 1.0
(1.2) (1.7) (4.6)
DIMENSIONS (Unit : mm)
Cathode Mark 1.5
Cathode
2.0 0.75 0.5
Anode
ランドパターン
スクリーンのメタルマスクとしては0.2mm~ 0.3mmをします。し、リフロー・はんだ ペースト・によりはんだけが するがありますので、にての 、ごさ...
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