phmb600e6c

ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ (E) 4 (G) 3 (E) 2 (C) 1 80 ６００Ａ，６００Ｖ □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 110 93 ± 0.25 4 4 - Ø6.5 2 -M8 4 - Ø6.5 2 -M6 1 2 20 20 62 ±0.25 48 20 3 2 -M4 13 21 29 2 -M4 QS043-402-20394 （2/5） ＰＨＭＢ６００Ｅ６ ＰＨＭＢ６００Ｅ６Ｃ 108 93 9 4 3 2 1 24 20 11 29 7 14 23 13 16 62 7 23 25.5 +1.036 - 0.5 +125.5 .0 - 0.5 LABEL LABEL PH MB600E6 PH MB600E6C □ ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ ６００ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ コレクタ Ｃollector Ｃurrent ＤＣ １ｍｓ ６００ １,２００ ６００ １，２００ Ａ コレクタ Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ２,０８０ Ｗ Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） め け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｔerminals Ｆｔｏｒ PHMB600E6 ３（３０.６） Ｍ４ １ ４（１４ ３） PHMB600E6C Ｍ８ １０ ５(１０７) ３（３０.６） Ｎ・ｍ Ｍ４ １ ４（１４ ３） (kgf･cm) Ｍ６ ３(３０ ６) □ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コレクタ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ ゲートれ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 600A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト しきい Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 600mA ４.０ － ８.０ Ｖ Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 30,...