phmb800b12

ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ (E) 4 (G) 3 (E) 2 (C) 1 ８００ Ａ，１２００Ｖ QS043-401M0056 (2/4) ＰＨＭＢ８００Ｂ１２ □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 110 93 ± 0.25 4 4 - Ø6.5 2 -M8 1 2 20 20 62 ±0.2 5 80 3 2 -M4 13 21 29 +1.036 - 0.5 +1.025.5 - 0.5 7 23 LABEL Dimension:［mm］ □ ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ コレク Ｃollector コレク Ｃollector タ Ｃurrent タ Ｐower Ｄissipation ＤＣ １ｍｓ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ １，２００ ±２０ ８００ １，６００ ３，４００ Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage め け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｍ４ Ｍ８ ２,５００ ３（３０.６） １.４（１４.３） １０.５（１０７） Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲートれ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V Ｍｉｎ. － Ｔｙｐ. － Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ １６ ｍＡ － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト しきい Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA ４－８Ｖ Ｉnput Ｃapacitance スイッチング Ｓwitching Ｔime ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔime Ｔurn-on Ｔime Ｆall Ｔime Ｔurn-off Ｔime Ｃｉｅｓ ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 0.75Ω ＲG= 0.5Ω ＶＧＥ= ±15V － 66,000 － ｐＦ － ０.２５ ０.４５ － ０.４０ ０.７０ μｓ ...