DatasheetsPDF.com

KP796 Dataheets PDF



Part Number KP796
Manufacturers Integral
Logo Integral
Description p-channel MOSFET
Datasheet KP796 DatasheetKP796 Datasheet (PDF)

КП796 мощный вертикальный p-канальный МОП-транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением р-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначенны для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливае.

  KP796   KP796



Document
КП796 мощный вертикальный p-канальный МОП-транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением р-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначенны для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для нужд народного хозяйства Зарубежный прототип • Прототип – IRF9634 Особенности • Диапазон рабочих температур корпуса от - 55 до + 150°C Обозначение технических условий • АДБК 432140.950 ТУ Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Затвор Сток Исток КП796 (декабрь 2010г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КП796 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Поpоговое напpяжение Сопpотивление сток-исток в откpытом состоянии КП796А,В КП796Б Остаточный ток стока КП796А КП796Б КП796В Ток утечки затвора Кpутизна ВАХ КП796А,В КП796Б Прямое напряжение диода КП796А,В КП796Б Время задержки включения/выключения КП796А,В КП796Б Тепловое сопротивление переходкорпус Обозначение Uзи поp Rси отк Ед.измеpения В Ом Режимы измеpения Iс=-250мкА,Uзи=Uси tи ≤300мкс, Q ≥50 Iс=-2,5А,Uзи=-10В Iс ост Iз ут S Uпр tзд.вкл/выкл Rt п-к мкА нА А/B В нс °С/Вт Uси=-250В,Uзи=0 Uси=-300В,Uзи=0 Uси=-200В,Uзи=0 Uзи=±20В,Uси=0 tи ≤300мкс, Q ≥50 Uси=-20В,Iс=-4,1А Uси=-30В,Iс=-3,7А tи ≤300мкс, Q ≥50 Ic=-4,1A, Uзи=0 Ic=-3,7A tи ≤300мкс, Q ≥50 Ic=-4,1A, Uси=-130В Rс=31Ом,Rг=12Ом Ic=-3,7A Min Max -2,0 -4,0 1,0 1,4 - -25 - -25 - -25 - 100 2,2 2,2 -6,5 -6,5 12/34 1,7 Входная емкость Выходная емкость Пpоходная емкость * C11и * C22и * C12и пФ Uзи=0,Uси=-25В, f=1МГц - 1000 пФ Uзи=0,Uси=-25В, f=1МГц - 250 пФ Uзи=0,Uси=-25В, f=1МГц - 60 * Справочные параметры Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КП796 Паpаметpы Напpяжение сток-исток Напpяжение затвор-исток Постоянный ток стока Импульсный ток стока Рассеиваемая мощность Прямой ток диода Темпеpатуpа пеpехода Обозначение Uси max Uзи max Iс max Iс и max Pmax Iпр. max Тпеp Ед. изм. В В А А Вт А °С А -250 ±20 -4,1 -16 74 -4,1 150 Предельные значения Б -300 ±20 -3,7 -15 74 -3,7 150 В -200 ±20 -4,1 -16 74 -4,1 150 КП796 (декабрь 2010г., редакция 1.0) 2 ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие. ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик изделий без предварительного уведомления. Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является ближайшим или функциональным аналогом. Кон.


KP796V KP796 SI51218


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)