KT8225A

КТ8225А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона) с интегральными демпфирующим (в цепи коллектор-эмиттер) и ограничительным (в цепи коллекторбаза) диодами. Предназначены для работы в схемах электронного управления зажигания, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы BU941ZP фирмы STMicroelectronics Особенности интегральный демпфирующий диод интегральный ограничительный диод диапазон рабочих температур от - 45 до + 125°C климатическое исполнение УХЛ 5.1 по ГОСТ 15150 Обозначение технических условий АДБК.432140.818 ТУ Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) – КТ8225А бескорпусной вариант в виде кристаллов – КТ8225А-5 Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ8225А (декабрь 2011г., редакция 1.1) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8225А при Токр. среды = +25 °С Параметры Обратный ток коллектор-эмиттер Обратный ток эмиттера Напряжение насыщения коллектор - эмиттер (1) Напряжение насыщения база-эмиттер (1) Статический коэффициент передачи тока (1,2) Граничное напряжение коллектор – эмиттер Прямое напряжение на диоде Время рассасывания Время спада Импульсная энергия на индуктивной нагрузке Обозн. Iкэо Iэбo Uкэ (нас) Uбэ (нас) h21Э Uкэо гр Uпр.д tрас. * tсп. * Еимп.* Ед, изм. мA мA В В Режим измерения Uкэ=300В, Iб=0 Uэб= 5В,Iк=0 Iк=8A,Iб=100мА...