RQ5E040AJ

RQ5E040AJ 　　Nch 30V 4A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 37mΩ ±4.0A 1W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lOutline TSMT3 (SC-96) 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　　　　　　 　 　 　 　　　　　　 lApplication Switching lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature lPackaging specifications Packing Reel size (mm) Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking Embossed Tape 180 8 3000 TCL FK Symbol VDSS ID ID,pulse*1 VGSS EAS*2 IAS*2 PD*3 Tj Tstg Value 30 ±4.0 ±16 ±12 1.2 4.0 1 150 -55 to +150 Unit V A A V mJ A W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150316 - Rev.001 　 　 RQ5E040AJ 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 125 Unit ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Breakdown voltage temperature coefficient 　ΔV(BR)DSS　 ID = 1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Zero gate voltage drain current IDSS ...