RQ6E055BN

RQ6E055BN 　　Nch 30V 5.5A Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 25mΩ ±5.5A 1.25W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lOutline TSMT6 　 　 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　　　　　　 　 　 　 　　　　　　 lApplication Switching lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature lPackaging specifications Packing Reel size (mm) Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking Embossed Tape 180 8 3000 TR HH Symbol VDSS ID*1 ID,pulse*2 VGSS EAS*3 IAS*3 PD*4 Tj Tstg Value 30 ±5.5 ±18 ±20 2.2 5.5 1.25 150 -55 to +150 Unit V A A V mJ A W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20141001 - Rev.001 　 　 RQ6E055BN 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*4 Values Min. Typ. Max. - 100 - Unit ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Breakdown voltage temperature coefficient Zero gate voltage drain current 　ΔV(BR)DSS　 ID = 1mA 　　 ΔTj 　 　 re...