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ES1A ... ES1J
ES1A ... ES1J Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes Superschnelle SMD-Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
Version 2020-01-27
SMA ~ DO-214AC
5± 0.2
Typical Applications Rectification of higher frequencies High efficient switching stages Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)
2.1± 0.2
2.2± 0.2
1.1± 0.3
0.15+ 0.1
Type Typ
Features Extremely low reverse recovery time Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Mechanical Data 1)
1. ±0.1 5
2.7± 0.2
4.5± 0.3
Taped and reeled Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Case material Solder & assembly conditions
IFAV = 1 A VF < 0.92...1.7 V Tjmax = 150°C
VRRM = 50...600 V IFSM = 30/33 A trr < 15...35 ns
Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Standardausführung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)
Besonderheiten
Extrem niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
RoHS
Pb
ELV
Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1)
WEEE
Mechanische Daten 1)
7500 / 13“
Gegurtet auf Rolle
0.07 g
Gewicht ca.
UL 94V-0
Gehäusematerial
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2)
Type Typ ES1A
DC blocking voltage Sperrgleichspannung
VDC [V] 3)
ES1B/-Q
ES1C
ES1D/-Q
ES1F
ES1G
ES1J/-AQ
480
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 50
100 150 200 300 400 600
Grenzwerte 2) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 50
100 150 200 300 400 600
Average forward current Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Rating for fusing Grenzlastintegral Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur
TT = 100°C
IFAV
1A
f > 15 Hz
TT = 100°C
Half sine-wave 50 Hz (10 ms) Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms)
t < 10 ms
IFRM
6A
IFSM
30 A 33 A
i2t
4.5 A2s
Tj -50...+150°C TS -50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben 3 Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ES1A ... ES1J
Characteristics
Type Typ
Tj = 25°C
ES1A, ES1B/-Q...ES1D/-Q
ES1F...ES1G
ES1J/-AQ
Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) < 15 < 25 < 35
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
at / bei
IF [A]
< 0.92
1
< 1.3
1
< 1.7
1
Leakage current Sperrstrom
Tj = 25°C Tj = 100°C
VR = VRRM
IR
Typ. thermal resistance junction to ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
RthA
Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
RthT
< 5 µA < 100 µA 70 K/W 2)
30 K/W
120 [%]
100
80
60
40
20
IFAV
0
0 TA 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
10 [A]
ES1A...D
1
0.1
ES1F...G ES1J
10-2
IF
10-3
Tj = 25°C
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10 [µA]
1
10-1
Tj = 125°C Tj = 85°C Tj = 25°C
[pF]
f
T=j
= 25°C 1.0 MHz
10-2
IR
10-3 0
VRRM
40
60 [%] 100
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
Cj
VR
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2
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