Silicon Rectifier Diodes
P2000A ... P2000M
P2000A ... P2000M
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-01-24
Nomin...
Description
P2000A ... P2000M
P2000A ... P2000M
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-01-24
Nominal current Nennstrom
Ø 8±0.1
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung
62.5±0.5 7.5±0.1
Plastic case Kunststoffgehäuse Type Weight approx. Gewicht ca.
Ø 1.2±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
20 A 50...1000 V Ø 8 x 7.5 [mm]
2.0 g
Maximum ratings Type Typ
P2000A P2000B P2000D P2000G P2000J P2000K P2000M
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 50
100 200 400 600 800 1000
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 50
100 200 400 600 800 1000
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C
IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS
20 A 1) 100 A 1) 500/550 A 1250 A2s -50...+175°C -50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungst...
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