P2000D

P2000A ... P2000M P2000A ... P2000M Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-01-24 Nominal current Nennstrom Ø 8±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 62.5±0.5 7.5±0.1 Plastic case Kunststoffgehäuse Type Weight approx. Gewicht ca. Ø 1.2±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] 20 A 50...1000 V Ø 8 x 7.5 [mm] 2.0 g Maximum ratings Type Typ P2000A P2000B P2000D P2000G P2000J P2000K P2000M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 20 A 1) 100 A 1) 500/550 A 1250 A2s -50...+175°C -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungst...