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P2000K Dataheets PDF



Part Number P2000K
Manufacturers Diotec
Logo Diotec
Description Silicon Rectifier Diodes
Datasheet P2000K DatasheetP2000K Datasheet (PDF)

P2000A ... P2000M P2000A ... P2000M Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-01-24 Nominal current Nennstrom Ø 8±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 62.5±0.5 7.5±0.1 Plastic case Kunststoffgehäuse Type Weight approx. Gewicht ca. Ø 1.2±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] 2.

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P2000A ... P2000M P2000A ... P2000M Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-01-24 Nominal current Nennstrom Ø 8±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 62.5±0.5 7.5±0.1 Plastic case Kunststoffgehäuse Type Weight approx. Gewicht ca. Ø 1.2±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] 20 A 50...1000 V Ø 8 x 7.5 [mm] 2.0 g Maximum ratings Type Typ P2000A P2000B P2000D P2000G P2000J P2000K P2000M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 20 A 1) 100 A 1) 500/550 A 1250 A2s -50...+175°C -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C Tj = 25°C Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht IF = 5 A IF = 20 A VR = VRRM VF IR RthA RthL P2000A ... P2000M Kennwerte < 0.87 V < 1.10 V < 10 µA < 4 K/W 1) < 2.0 K/W 120 [%] 100 80 60 40 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 103 [A] 10 3 [A] 10 2 Tj = 125°C Tj = 25°C 10 1 IF 10 -1 400a-(5a-0.9v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 îF 10 1 10 102 [n] Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 103 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG .


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