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P2000A ... P2000M
P2000A ... P2000M
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-01-24
Nominal current Nennstrom
Ø 8±0.1
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung
62.5±0.5 7.5±0.1
Plastic case Kunststoffgehäuse Type Weight approx. Gewicht ca.
Ø 1.2±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
20 A 50...1000 V Ø 8 x 7.5 [mm]
2.0 g
Maximum ratings Type Typ
P2000A P2000B P2000D P2000G P2000J P2000K P2000M
Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 50
100 200 400 600 800 1000
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 50
100 200 400 600 800 1000
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C
IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS
20 A 1) 100 A 1) 500/550 A 1250 A2s -50...+175°C -50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C Tj = 25°C
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
IF = 5 A IF = 20 A VR = VRRM
VF
IR RthA
RthL
P2000A ... P2000M
Kennwerte < 0.87 V < 1.10 V < 10 µA
< 4 K/W 1)
< 2.0 K/W
120 [%] 100
80
60
40
20 IFAV
0 0 TA 50 100 150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
103
[A]
10 3
[A]
10 2
Tj = 125°C Tj = 25°C
10
1
IF
10 -1
400a-(5a-0.9v)
0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
102
îF
10 1
10 102 [n]
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
103
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG
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