| Part Number | HYM321005S |
| Manufacturer | Siemens |
| Title | 1M x 32-Bit Dynamic RAM Module |
| Description | EDO - DRAM module (access time50 ns) EDO - DRAM module (access time 60 ns) EDO - DRAM module (access time 50 ns) EDO - DRAM module (access time 6... |
| Features |
on the HYM 321005S/GS-50/-60 dictates the use of early write cycles. Ordering Information Type HYM 321005S-50 HYM 321005S-60 HYM 321005GS-50 HYM 321005GS-60 Ordering Code Q67100-Q2062 Q67100-Q2063 Q67100-Q2064 Q67100-Q2065 Package L-SIM-72-10 L-SIM-72-10 L-SIM-72-10 L-SIM-72-10 Descriptions EDO - DR...
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| File Size | 83.76KB |
| Datasheet |
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HYM321005GS-50 : EDO - DRAM module (access time50 ns) EDO - DRAM module (access time 60 ns) EDO - DRAM module (access time 50 ns) EDO - DRAM module (access time 60 ns) Semiconductor Group 2 HYM 321005S/GS-50/-60 1M × 32-Bit EDO-Module Pin Names VSS DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 N.C. A1 A3 A5 N.C. DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 N.C. A8 N.C. N.C. 1 DQ0 2 3 DQ1 4 5 DQ2 6 7 DQ3 8 9 VCC 10 11 A0 12 13 A2 14 15 A4 16 17 A6 18 19 DQ4 20 21 DQ5 22 23 DQ6 24 25 DQ7 26 27 A7 28 29 VCC 30 31 A9 32 33 RAS2 34 35 N.C. 36 A0-A9 DQ0-DQ31 CAS0 - CAS3 RAS0, RAS2 WE Address Inputs Data Input/Output Column Address Strobe Row Address Strobe Read/Write Input Power (+ 5 V) Ground Presence Detect Pin No Connection VCC VSS PD N.C. N.C. VSS CAS.
HYM321005GS-60 : EDO - DRAM module (access time50 ns) EDO - DRAM module (access time 60 ns) EDO - DRAM module (access time 50 ns) EDO - DRAM module (access time 60 ns) Semiconductor Group 2 HYM 321005S/GS-50/-60 1M × 32-Bit EDO-Module Pin Names VSS DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 N.C. A1 A3 A5 N.C. DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 N.C. A8 N.C. N.C. 1 DQ0 2 3 DQ1 4 5 DQ2 6 7 DQ3 8 9 VCC 10 11 A0 12 13 A2 14 15 A4 16 17 A6 18 19 DQ4 20 21 DQ5 22 23 DQ6 24 25 DQ7 26 27 A7 28 29 VCC 30 31 A9 32 33 RAS2 34 35 N.C. 36 A0-A9 DQ0-DQ31 CAS0 - CAS3 RAS0, RAS2 WE Address Inputs Data Input/Output Column Address Strobe Row Address Strobe Read/Write Input Power (+ 5 V) Ground Presence Detect Pin No Connection VCC VSS PD N.C. N.C. VSS CAS.