| Part Number | HYM364025S |
| Manufacturer | Siemens |
| Title | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Description | EDO-DRAM Module (access time 50 ns) EDO-DRAM Module (access time 60 ns) EDO-DRAM Module (access time 50 ns) EDO-DRAM Module (access time 60 ns) S... |
| Features |
on the HYM 364025S/GS-50/-60 dictates the use of early write cycles. Ordering Information Type HYM 364025S-50 HYM 364025S-60 HYM 364025GS-50 HYM 364025GS-60 Ordering Code on request Q67100-Q2366 on request Q67100-Q2367 Package L-SIM-72-12 L-SIM-72-12 L-SIM-72-12 L-SIM-72-12 Description EDO-DRAM Modu...
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| File Size | 55.53KB |
| Datasheet |
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HYM364025GS-50 : EDO-DRAM Module (access time 50 ns) EDO-DRAM Module (access time 60 ns) EDO-DRAM Module (access time 50 ns) EDO-DRAM Module (access time 60 ns) Semiconductor Group 2 HYM 364025S/GS-50/-60 4M × 36-Bit EDO-Module Pin Configuration Pin Names VSS DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 N.C. A1 A3 A5 A10 DQ22 DQ23 DQ24 DQ25 N.C. A8 N.C. DQ26 1 DQ0 2 3 DQ1 4 5 DQ2 6 7 DQ3 8 9 VCC 10 11 A0 12 13 A2 14 15 A4 16 17 A6 18 19 DQ4 20 21 DQ5 22 23 DQ6 24 25 DQ7 26 27 A7 28 29 VCC 30 31 A9 32 33 RAS2 34 35 DQ8 36 A0-A10 DQ0-DQ35 CAS0 - CAS3 RAS0, RAS2 WE Address Inputs Data Input/Output Column Address Strobe Row Address Strobe Read/Write Input Power (+ 5 V) Ground Presence Detect Pin No Connection VCC VSS PD N.C. DQ.
HYM364025GS-60 : EDO-DRAM Module (access time 50 ns) EDO-DRAM Module (access time 60 ns) EDO-DRAM Module (access time 50 ns) EDO-DRAM Module (access time 60 ns) Semiconductor Group 2 HYM 364025S/GS-50/-60 4M × 36-Bit EDO-Module Pin Configuration Pin Names VSS DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 N.C. A1 A3 A5 A10 DQ22 DQ23 DQ24 DQ25 N.C. A8 N.C. DQ26 1 DQ0 2 3 DQ1 4 5 DQ2 6 7 DQ3 8 9 VCC 10 11 A0 12 13 A2 14 15 A4 16 17 A6 18 19 DQ4 20 21 DQ5 22 23 DQ6 24 25 DQ7 26 27 A7 28 29 VCC 30 31 A9 32 33 RAS2 34 35 DQ8 36 A0-A10 DQ0-DQ35 CAS0 - CAS3 RAS0, RAS2 WE Address Inputs Data Input/Output Column Address Strobe Row Address Strobe Read/Write Input Power (+ 5 V) Ground Presence Detect Pin No Connection VCC VSS PD N.C. DQ.