Part Number
|
KT8159 |
Manufacturer
|
Integral |
Description
|
PNP Transistor |
Published
|
Oct 5, 2016 |
Detailed Description
|
КТ8159
p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные бипо...
|
Datasheet
|
KT8159
|
Overview
КТ8159
p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона).
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы • Прототипы – BDV64A-C
Особенности • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C • Комплиментаpная паpа - КТ8158
Обозначение технических условий • АДБК.
432150.
530 ТУ
Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218)
Назначение выводов
Вывод №1 №2 №3
Назначение
База Коллектор Эмиттер
КТ8159 (январь 2011г.
, редакция 1.
0)
1
...
Similar Datasheet