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EMB04N03A

Part Number EMB04N03A
Manufacturer Excelliance MOS
Description MOSFET
Published Apr 25, 2017
Detailed Description   N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  4....
Datasheet EMB04N03A





Overview
  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.
)  4.
0mΩ  ID  90A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB04N03A LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.
1mH, ID=53A, RG=25Ω Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.
05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  90  55  180  5...






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