Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode BP 104 S Chip position 0.
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2 4.
5 4.
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2 0.
9 0.
7 GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm q Kurze Schaltzeit (typ.
20 ns) q geeignet für Vapor-Phase Löten und IRReflow-Löten q SMT-fähig Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q IR-Fernsteuerungen q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm q Short switching time (typ.
20 ns) q Suitable for vapor-...

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