GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters
SFH 415 SFH 416
Cathode
29 27
1.
8 1.
2
9.
0 8.
2
7.
8 7.
5
5.
9 5.
5
spacing 2.
54mm 0.
4 0.
6
0.
4 0.
8 ø4.
8 ø5.
1
fexf6626
Area not flat Chip position
Approx.
weight 0.
2 g
Area not flat
0.
6
6.
9 6.
1
0.
4 5.
7
5.
5
4.
8 4.
2
0.
6 0.
4
GEO06645
5.
9 5.
5
2.
54 mm spacing
0.
8 0.
4 ø5.
1 ø4.
8
1.
8 1.
2
29.
5 27.
5
Cathode (Diode) Collector (
Transistor)
Approx.
weight 0.
4 g
4.
0 3.
4
Chip position
0.
6 0.
4
GEX06630
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fex06630
Wesentliche Merkmale
q GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
q Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
q Sehr hoh...