2007-12-07 GaAlAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.
0 SFH 483 E7800 Features: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Anode is electrically connected to the case • High reliability • Matches all Si-Photodetectors • Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 • DIN humidity caregory in acc.
with DIN 40 040 GQG Besondere Merkmale: • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242, SFH 464 • Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC Applications • Photointerrupters • Sensor technology • Light curtains Anwendungen...

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