T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The TDM3307A uses advanced trench technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.
  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch or in PWM applications.
  GENERAL FEATURES   ‐30V/‐24A   RDS(ON)  18mΩ @ VGS=‐4.
5V  RDS(ON)  10.
5mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   Lead free product is available   PPAK*3‐8 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current  Maximum Power Dissipation (note1)  Maximum ...

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