N   -channel Enhancement Mode MOSFET     DESCRIPTION    The   uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.
  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.
      GENERAL FEATURES   RDS(ON)   Ω @ VGS=4.
5V    RDS(ON)   Ω @ VGS=10V   High Power and current handing capability   Lead free product is acquired   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  Drain Current @ Continuous(Note 2)  VGS  ID（25℃）  ID（100℃）  Drain C...

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