| Part Number | FF200R12KT4 |
| Manufacturer | Infineon |
| Title | IGBT |
| Description | TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R12KT4 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4un... |
| Features |
tor-emittersaturationvoltage
IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Interna...
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| File Size | 467.30KB |
| Datasheet |
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FF200R12KT3 : TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R12KT3 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlledHighEfficiencyDiode 62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, T.
FF200R12KT3_E : TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R12KT3_E 62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150°C Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VorläufigeDaten PreliminaryData VC.