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Part Number
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FZ800R12KS4_B2 |
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Manufacturer
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Infineon |
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Description
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IGBT |
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Published
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Jun 11, 2020 |
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Detailed Description
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FZ800R12KS4_B2
HochleistungsmodulmitAlSiCB...
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Datasheet
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FZ800R12KS4_B2
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Overview
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FZ800R12KS4_B2
HochleistungsmodulmitAlSiCBodenplatteundschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten HighPowerModulewithAlSiCbaseplateandshorttailIGBT2forhighswitchingfrequency
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
G...
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