| Part Number | MJ14003 |
| Manufacturer | INCHANGE |
| Title | NPN Transistor |
| Description | ·With TO-3 packaging ·Very high DC current gain ·Monolithic darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode ·Minimum Lo... |
| Features |
MJ14003
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= -250mA, IB= 0
VCE(sat)1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -25A ,IB= -2.5A
VCE(sat)2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -50A ,IB= -5....
|
| File Size | 180.36KB |
| Datasheet |
|
MJ14000 : MJ14000 Dimensions in mm (inches). 25.15 (0.99) 26.67 (1.05) 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 6.35 (0.25) 9.15 (0.36) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 38.61 (1.52) 39.12 (1.54) 1.47 (0.058) 1.60 (0.063) 29.9 (1.177) 30.4 (1.197) 16.64 (0.655) 17.15 (0.675) 1 2 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) TO3 (TO204AE) PINOUTS 1 – Base 2 – Emitter Case - Collector Parameter VCEO* IC(CONT) hFE ft PD Test Conditions 22.23 (0.875) max. Min. Typ. Max. 60 70 Units V A Hz @ 3/50 (VCE / IC) 300 W * Maximum Working Voltage This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk. Semel.
MJ14001 : MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJ14001/D High-Current Complementary Silicon Power Transistors designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications, ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ.
MJ14001 : MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High−Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high−power amplifier and switching circuit applications. Features • High Current Capability − IC Continuous = 60 Amperes • DC Current Gain − hFE = 15−100 @ IC = 50 Adc • Low Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC = 50 Adc • Pb−Free Packages are Available* MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Rating Symbol Value Unit Collector−Emitter Voltage MJ14001 VCEO MJ14002/03 60 Vdc 80 Collector−Base Voltage MJ14001 VCBO MJ14002/03 60 Vdc 80 Emitter−Base Voltage Collector Current − Continuous Base Current − .
MJ14002 : MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High−Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high−power amplifier and switching circuit applications. Features • High Current Capability − IC Continuous = 60 Amperes • DC Current Gain − hFE = 15−100 @ IC = 50 Adc • Low Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC = 50 Adc • Pb−Free Packages are Available* MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Rating Symbol Value Unit Collector−Emitter Voltage MJ14001 VCEO MJ14002/03 60 Vdc 80 Collector−Base Voltage MJ14001 VCBO MJ14002/03 60 Vdc 80 Emitter−Base Voltage Collector Current − Continuous Base Current − .
MJ14002 : MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJ14001/D High-Current Complementary Silicon Power Transistors designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications, ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ.
MJ14002 : ·With TO-3 packaging ·Very high DC current gain ·Monolithic darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Electronic ignition ·Alternator regulator ·Motor controls ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO VCEO VEBO IC IB PD Tj Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current-Continuous Base Current- Continuous Collector Power Dissipation Max.Junction Temperature 80 V 80 V 5 V 60 A 15 A 300 W 200 ℃ Tstg Storage Temperature Range -65~200 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETE.
MJ14003 : MOTOROLA SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by MJ14001/D High-Current Complementary Silicon Power Transistors designed for use in high–power amplifier and switching circuit applications, ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ.
MJ14003 : MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High−Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high−power amplifier and switching circuit applications. Features • High Current Capability − IC Continuous = 60 Amperes • DC Current Gain − hFE = 15−100 @ IC = 50 Adc • Low Collector−Emitter Saturation Voltage −VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC = 50 Adc • Pb−Free Packages are Available* MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Rating Symbol Value Unit Collector−Emitter Voltage MJ14001 VCEO MJ14002/03 60 Vdc 80 Collector−Base Voltage MJ14001 VCBO MJ14002/03 60 Vdc 80 Emitter−Base Voltage Collector Current − Continuous Base Current − .