HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HSB1109S
PNP EPITAXIAL PLANAR
TRANSISTOR
Spec.
No.
: HE6514 Issued Date : 1993.
03.
15 Revised Date : 2005.
02.
14 Page No.
: 1/5
Description
The HSB1109S is designed for low frequency and high voltage amplifier applications complementary pair with HSD1609S.
Absolute Maximum Ratings
TO-92
• Maximum Temperatures Storage Temperature .
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-50 ~ +150 °C Junction Temperature .
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+150 °C Maximum
• Maximum Power Dissipation Total Pow...